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CY62138FV30LL-45SXIT

更新时间： 2024-11-05 20:40:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 621K
描述
Standard SRAM, 256KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, LEAD FREE, SOIC-32

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CY62138FV30LL-45SXIT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SOP, SOP32,.56
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：45 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e4
长度：20.4465 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：32字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP32,.56封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.997 mm
最大待机电流：0.000004 A最小待机电流：1.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.018 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.2 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：11.303 mm
Base Number Matches：1

CY62138FV30LL-45SXIT 数据手册

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CY62138FV30 MoBL®  
2-Mbit (256 K × 8) Static RAM  
2-Mbit (256  
K × 8) Static RAM  
Features  
Functional Description  
■ Very high-speed: 45 ns  
The CY62138FV30 is a high performance CMOS static RAM  
organized as 256K words by 8 bits. This device features  
advanced circuit design to provide ultra low active current. This  
is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL) in portable  
applications such as cellular telephones. The device also has an  
automatic power down feature that significantly reduces power  
consumption. Place the device into standby mode reducing  
power consumption when deselected (CE1 HIGH or CE2 LOW).  
■ Temperature ranges  
❐ Industrial: –40 °C to 85 °C  
❐ Automotive-A: –40 °C to 85 °C  
■ Wide voltage range: 2.20 V to 3.60 V  
■ Pin compatible with CY62138CV25/30/33  
To write to the device, take Chip Enable (CE1 LOW and CE2  
HIGH) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O  
pins (I/O0 through I/O7) is then written into the location specified  
on the address pins (A0 through A17).  
■ Ultra low standby power  
❐ Typical standby current: 1 A  
❐ Maximum standby current: 5 A  
■ Ultra low active power  
❐ Typical active current: 1.6 mA at f = 1 MHz  
To read from the device, take Chip Enable (CE1 LOW and CE2  
HIGH) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write Enable  
(WE) HIGH. Under these conditions, the contents of the memory  
location specified by the address pins appear on the I/O pins.  
■ Easy memory expansion with CE1, CE2, and OE Features  
■ Automatic power down when deselected  
The eight input and output pins (I/O0 through I/O7) are placed in  
a high impedance state when the device is deselected (CE1  
HIGH or CE2 LOW), the outputs are disabled (OE HIGH), or  
during a write operation (CE1 LOW and CE2 HIGH and WE  
LOW).  
■ Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) for  
Optimum speed and power  
■ Offered in Pb-free 36-ball VFBGA, 32-pin TSOP II, 32-pin  
SOIC, 32-pin TSOP I and 32-pin STSOP packages  
Logic Block Diagram  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 001-08029 Rev. *N  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised May 12, 2014  
 
1234567...20

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CY62138FV30LL-45SXIT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY62138FV30LL-45SXI CYPRESS

完全替代

 2-Mbit (256K x 8) Static RAM

与CY62138FV30LL-45SXIT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY62138FV30LL-45ZAXA CYPRESS

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 		2-Mbit (256K x 8) Static RAM
CY62138FV30LL-45ZAXA INFINEON

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 		Asynchronous SRAM
CY62138FV30LL-45ZAXAT CYPRESS

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 		暂无描述
CY62138FV30LL-45ZAXAT INFINEON

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 		Asynchronous SRAM
CY62138FV30LL-45ZAXI CYPRESS

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 		2-Mbit (256K x 8) Static RAM
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 		Asynchronous SRAM
CY62138FV30LL-45ZSXI CYPRESS

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 		2-Mbit (256K x 8) Static RAM
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