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CY62138VL-70BAI

更新时间： 2024-09-15 20:08:19
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 171K
描述
Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PBGA36

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CY62138VL-70BAI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.92
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B36
JESD-609代码：e0内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
端子数量：36字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：FBGA
封装等效代码：BGA36,6X8,30封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
电源：3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.000001 A最小待机电流：1 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.015 mA
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
Base Number Matches：1

CY62138VL-70BAI 数据手册

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CY62138V MoBL™  
256K x 8 Static RAM  
sumption by 99% when addresses are not toggling. The device  
Features  
can be put into standby mode when deselected (CS HIGH or  
1
• Low voltage range:  
— 2.7–3.6V  
CS LOW).  
2
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable  
One (CS ) and Write Enable (WE) inputs LOW and Chip En-  
• Ultra-low active power  
• Low standby power  
• Easy memory expansion with CS /CS and OE features  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Automatic power-down when deselected  
• CMOS for optimum speed/power  
1
able Two (CS ) HIGH. Data on the eight I/O pins (I/O through  
2
0
I/O ) is then written into the location specified on the address  
7
1
2
pins (A through A ).  
0
17  
Reading from the device is accomplished by taking Chip En-  
able One (CS ) and Output Enable (OE) LOW while forcing  
1
Write Enable (WE) and Chip Enable Two (CS ) HIGH. Under  
2
these conditions, the contents of the memory location speci-  
fied by the address pins will appear on the I/O pins.  
Functional Description  
The eight input/output pins (I/O through I/O ) are placed in a  
The CY62138V is a high-performance CMOS static RAM or-  
ganized as 262,144 words by 8 bits. This device features ad-  
vanced circuit design to provide ultra-low active current. This  
is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL™) in portable  
applications such as cellular telephones. The device also has  
an automatic power-down feature that reduces power con-  
0
7
high-impedance state when the device is deselected (CS  
1
HIGH or CS LOW), the outputs are disabled (OE HIGH), or  
2
during a write operation (CS LOW, CS HIGH, and WE LOW).  
1
2
The CY62138V is available in a 36-ball FBGA.  
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
FBGA  
TOP View  
1
2
4
3
5
6
A8  
I/O  
A
A
A1  
A2  
CS2  
A 0  
I/O  
6
A
B
C
3
I/O  
0
Data in Drivers  
A
WE  
NC  
A7  
4
0
4
I/O  
I/O  
1
2
3
4
5
A
A
A
0
1
2
3
4
5
6
A
I/O  
I/O  
1
5
5
A
A
A
A
I/O  
I/O  
I/O  
V
V
256K x 8  
ARRAY  
D
E
F
CC  
SS  
A
7
8
V
CC  
V
SS  
A
NC  
CS  
A
I/O  
I/O  
2
17  
6
I/O  
POWER  
DOWN  
6
7
COLUMN  
DECODER  
CS  
1
2
CS  
A
G
H
I/O  
1
I/O  
3
OE  
A
A
15  
I/O  
16  
7
WE  
62138V-1  
OE  
A
A
A
13  
A14  
A9  
12  
11  
10  
62138V–2  
More Battery Life and MoBL are trademarks of Cypress Semiconductor Corporation.  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
January 20, 2000  
12345678

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与CY62138VL-70BAI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY62138VL-70ZI CYPRESS

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 		Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, MINI, FBGA-48
CY62138VLL-70BAI CYPRESS

获取价格

 		256K x 8 Static RAM
CY62138VLL-70BAIT CYPRESS

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 		暂无描述
CY62138VN CYPRESS

获取价格

 		256K x 8 Static RAM
CY62138VNLL-70BAI CYPRESS

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 		256K x 8 Static RAM
CY62138VNLL-70BAIT CYPRESS

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 		Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PBGA36, 7 X 7 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-36
CY62146BV18LL-70BAI ETC

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 		x16 SRAM
CY62146CV18 CYPRESS

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CY62146CV18LL-55BAI CYPRESS

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 		Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 7 X 8.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-48
CY62146CV18LL-55BAI ROCHESTER

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 		256KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PBGA48, 7 X 8.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-48

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