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CY62126DV30LL-70BVXI

更新时间： 2024-09-13 15:44:51

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	934K
描述
64KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-48

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CY62126DV30LL-70BVXI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.5
最长访问时间：	70 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	长度：	8 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	COMMERCIAL	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.2 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY62126DV30LL-70BVXIT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-48
CY62126DV30LL-70LFXI	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, 8 X 8 MM, LEAD FREE, QFN-56
CY62126DV30LL-70ZI	ROCHESTER	获取价格	64KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO44, TSOP2-44
CY62126DV30LL-70ZSI	CYPRESS	获取价格	1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY62126DV30LL-70ZSXI	CYPRESS	获取价格	1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY62126DV30LL-70ZXI	CYPRESS	获取价格	暂无描述
CY62126DV30LL-70ZXI	ROCHESTER	获取价格	64KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44
CY62126DV30LL-70ZXIT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44
CY62126ESL	CYPRESS	获取价格	1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY62126ESL_13	CYPRESS	获取价格	1-Mbit (64 K x 16) Static RAM