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CY62126DV30LL-70ZI

更新时间: 2024-09-13 15:44:51
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 934K
描述
64KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO44, TSOP2-44

CY62126DV30LL-70ZI 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2-44针数:44
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.5
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0长度:18.415 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
功能数量:1端子数量:44
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):235
认证状态:COMMERCIAL座面最大高度:1.194 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.2 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

CY62126DV30LL-70ZI 数据手册

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