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CSD88537ND

更新时间： 2024-11-24 12:49:43
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体小信号场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC局域网
页数 文件大小 规格书
13页 1006K
描述
CSD88537ND, Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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CSD88537ND 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SOIC-8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.66Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：753605
Samacsys Pin Count：8Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：Small Outline PackagesSamacsys Footprint Name：so-8
Samacsys Released Date：2018-08-26 18:52:18Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.019 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5.2 pFJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：62 A表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CSD88537ND 数据手册

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CSD88537ND  
www.ti.com  
SLPS455 –JANUARY 2014  
CSD88537ND, Dual 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
Check for Samples: CSD88537ND  
PRODUCT SUMMARY  
1
FEATURES  
TA = 25°C  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
2
•
•
•
•
•
Ultra-Low Qg and Qgd  
Avalanche Rated  
Pb Free  
VDS  
Qg  
Drain-to-Source Voltage  
60  
14  
Gate Charge Total (10 V)  
Gate Charge Gate to Drain  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
2.3  
VGS = 6 V  
VGS = 10 V  
3.0  
15.0  
12.5  
RoHS Compliant  
Halogen Free  
RDS(on) Drain-to-Source On Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
APPLICATIONS  
ORDERING INFORMATION  
•
•
Half Bridge for Motor Control  
Synchronous Buck Converter  
Device  
Qty  
2500  
250  
Media  
Package  
Ship  
CSD88537ND  
CSD88537NDT  
13-Inch Reel  
7-Inch Reel  
SO-8 Plastic  
Package  
Tape and  
Reel  
DESCRIPTION  
This dual SO-8, 60 V, 12.5 mΩ NexFET™ power  
MOSFET is designed to serve as a half bridge in low  
current motor control applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C  
VALUE  
UNIT  
V
VDS  
VGS  
Drain to Source Voltage  
60  
±20  
15  
Gate to Source Voltage  
V
Top View  
Continuous Drain Current (Package limited)  
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 25°C  
Continuous Drain Current (1)  
Pulsed Drain Current, TA = 25°C(2)  
Power Dissipation(1)  
ID  
16  
A
1
8
S1  
D1  
8.0  
62  
IDM  
PD  
TJ,  
A
2
3
7
6
G1  
S2  
D1  
D2  
2.1  
W
Operating Junction and  
TSTG Storage Temperature Range  
–55 to 150  
51  
°C  
Avalanche Energy, single pulse  
EAS  
mJ  
ID = 32, L = 0.1 mH, RG = 25 Ω  
4
5
G2  
D2  
(1) Typical RθJA = 60°C/W on a 1-inch2, 2-oz. Cu pad on a 0.06-  
inch thick FR4 PCB.  
(2) Pulse duration ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2%  
.
.
RDS(on) vs VGS  
GATE CHARGE  
30  
27  
24  
21  
18  
15  
12  
9
10  
TC = 25°C,I D = 8A  
TC = 125°C,I D = 8A  
ID = 8A  
VDS = 30V  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
6
3
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
3
6
9
12  
15  
Qg - Gate Charge (nC)  
VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
2
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2014, Texas Instruments Incorporated  
 
 
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CSD88537ND 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CSD88537NDT TI

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 CSD88537ND, Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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