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CSD-8NTR13

更新时间: 2024-11-20 14:37:47
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CENTRAL 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 2915K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, DPAK-3

CSD-8NTR13 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-252
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.1外壳连接:ANODE
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us
最大直流栅极触发电流:15 mA最大直流栅极触发电压:1.5 V
最大维持电流:20 mAJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0最大漏电流:2 mA
通态非重复峰值电流:80 A元件数量:1
端子数量:2最大通态电流:8000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:8 A断态重复峰值电压:800 V
重复峰值反向电压:800 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

CSD-8NTR13 数据手册

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