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CSD-8NTR13PBFREE

更新时间： 2024-11-25 04:03:47

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CENTRAL		栅栅极
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2页	489K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 800V V(DRM),

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CSD-8NTR13PBFREE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us
最大直流栅极触发电流：	15 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	20 mA	最大漏电流：	2 mA
通态非重复峰值电流：	80 A	最大通态电流：	8000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
断态重复峰值电压：	800 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

CSD-8NTR13PBFREE 数据手册

CSD-8M

CSD-8N

www.centralsemi.com

SURFACE MOUNT

SILICON CONTROLLED RECTIFIERS

8.0 AMP, 600 THRU 800 VOLT

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CSD-8M and

CSD-8N are epoxy molded SCRs designed for sensing

circuit and control system applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

DPAK CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

CSD-8M

CSD-8N

UNITS

Peak Repetitive Off-State Voltage

600

800

DRM, RRM

RMS On-State Current (T =90°C)

Peak One Cycle Surge, t=10ms

I²t Value for Fusing, t=10ms

8.0

A²s

T(RMS)

TSM

I²t

Peak Gate Power, tp=10μs

Average Gate Power Dissipation

Peak Forward Gate Current, tp=10μs

Peak Forward Gate Voltage, tp=10μs

Peak Reverse Gate Voltage, tp=10μs

Critical Rate of Rise of On-State Current

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

1.0

4.0

G(AV)

FGM

5.0

RGM

di/dt

A/μs

°C

-40 to +125

-40 to +150

stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNITS

Rated V

2.0

μA

DRM, RRM

Rated V V T =125°C

DRM, RRM, C

DRM, RRM

V =12V, R =10Ω

3.0

7.3

0.9

1.3

I =100mA

V =12V, R =10Ω

1.5

1.8

=16A, tp=380μs

dv/dt

V = / V

T =125°C

200

V/μs

DRM

R2 (21-January 2013)

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