5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > CSD-8NBKLEADFREE
CSD-8NBKLEADFREE PDF预览

CSD-8NBKLEADFREE

更新时间： 2024-11-20 15:45:23
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅栅极
页数 文件大小 规格书
2页 489K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 800V V(DRM)

阅读下载

中文翻译

获取价格

CSD-8NBKLEADFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us
最大直流栅极触发电流：15 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：20 mA最大漏电流：2 mA
通态非重复峰值电流：80 A最大通态电压：1.8 V
最大通态电流：8000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C断态重复峰值电压：800 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：YES
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

CSD-8NBKLEADFREE 数据手册

 浏览型号CSD-8NBKLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CSD-8M  
CSD-8N  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS  
8.0 AMP, 600 THRU 800 VOLT  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CSD-8M and  
CSD-8N are epoxy molded SCRs designed for sensing  
circuit and control system applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
DPAK CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
CSD-8M  
CSD-8N  
UNITS  
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
V
600  
800  
V
DRM, RRM  
RMS On-State Current (T =90°C)  
C
Peak One Cycle Surge, t=10ms  
I2t Value for Fusing, t=10ms  
I
8.0  
80  
A
A
A2s  
T(RMS)  
I
TSM  
I2t  
32  
Peak Gate Power, tp=10μs  
P
40  
W
GM  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Forward Gate Current, tp=10μs  
Peak Forward Gate Voltage, tp=10μs  
Peak Reverse Gate Voltage, tp=10μs  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
P
1.0  
4.0  
16  
W
G(AV)  
I
A
FGM  
V
V
FGM  
V
5.0  
50  
V
RGM  
di/dt  
A/μs  
°C  
°C  
T
-40 to +125  
-40 to +150  
J
T
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
I
Rated V  
V
10  
2.0  
15  
μA  
DRM, RRM  
DRM, RRM  
I
Rated V V T =125°C  
DRM, RRM, C  
mA  
mA  
mA  
V
DRM, RRM  
V =12V, R =10Ω  
3.0  
7.3  
0.9  
1.3  
GT  
H
D
L
I =100mA  
20  
T
V
V =12V, R =10Ω  
1.5  
1.8  
GT  
TM  
D
L
V
I
=16A, tp=380μs  
2
V
TM  
dv/dt  
V = / V  
T =125°C  
200  
V/μs  
3
D
DRM  
C
,
R2 (21-January 2013)  
12

中文翻译

下载PDF

与CSD-8NBKLEADFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD-8NBKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 800V V(DRM),
CSD-8NBKTIN/LEAD CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 800V V(DRM)
CSD-8NLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CSD-8NTIN/LEAD CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier,
CSD-8NTR13 CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element
CSD-8NTR13PBFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 800V V(DRM),
CSD-8NTR13TIN/LEAD CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 800V V(DRM)
CSD93501-Q1 TI

获取价格

 		同步降压单片智能功率级
CSD95372AQ5M TI

获取价格

 		Synchronous Buck NexFET™ Power Stage
CSD95372AQ5MT TI

获取价格

 		IC SWITCHING REGULATOR, Switching Regulator or Controller

与CSD-8NBKLEADFREE相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证