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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> CSD-8NBKTIN/LEAD
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CSD-8NBKTIN/LEAD

更新时间： 2024-11-24 13:07:07
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 可控硅
页数 文件大小 规格书
2页 469K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 800V V(DRM)

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CSD-8NBKTIN/LEAD 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us最大直流栅极触发电流：15 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：20 mA
JESD-609代码：e0最大漏电流：2 mA
通态非重复峰值电流：80 A最大通态电流：8000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
断态重复峰值电压：800 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

CSD-8NBKTIN/LEAD 数据手册

 浏览型号CSD-8NBKTIN/LEAD的Datasheet PDF文件第2页 
CSD-8M  
CSD-8N  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
SILICON CONTROLLED RECTIFIER  
8 AMP, 600 THRU 800 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CSD-8M series  
type is an Epoxy Molded Silicon Controlled Rectifier  
designed for sensing circuit applications and control  
systems.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
DPAK THYRISTOR CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
SYMBOL  
CSD-8M  
CSD-8N UNITS  
C
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
V
600  
800  
V
A
DRM, RRM  
I
RMS On-State Current (T =90°C)  
C
Peak One Cycle Surge, t=10ms  
I2t Value for Fusing, t=10ms  
8.0  
80  
T(RMS)  
I
A
TSM  
I2t  
32  
A2s  
W
W
A
Peak Gate Power, tp=10μs  
P
40  
GM  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Forward Gate Current, tp=10μs  
Peak Forward Gate Voltage, tp=10μs  
Peak Reverse Gate Voltage, tp=10μs  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
P
1.0  
4.0  
16  
G(AV)  
I
FGM  
V
V
FGM  
V
5.0  
50  
V
RGM  
di/dt  
A/μs  
°C  
°C  
T
-40 to +125  
-40 to +150  
J
T
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
10  
UNITS  
μA  
I
I
I
I
I
Rated V V  
DRM, RRM  
DRM, RRM  
I
Rated V  
V T =125°C  
2.0  
15  
mA  
mA  
mA  
V
DRM, RRM  
DRM, RRM, C  
V =12V, R =10Ω  
3.0  
7.3  
0.9  
1.3  
GT  
H
D
L
I =100mA  
20  
T
V
V =12V, R =10Ω  
1.5  
1.8  
GT  
TM  
D
L
V
I
=16A, tp=380μs  
2
V
TM  
dv/dt  
V = / V  
T =125°C  
200  
V/μs  
3
D
DRM  
C
,
R1 (17-February 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD-8NLEADFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CSD-8NTIN/LEAD CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier,
CSD-8NTR13 CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element
CSD-8NTR13PBFREE CENTRAL

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