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CSD88539NDT

更新时间： 2024-11-25 11:12:47

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		局域网 PC 开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	919K
描述
采用 SO-8 封装的双路、28mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| D \| 8 \| -55 to 150

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CSD88539NDT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SOIC, 8 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.67
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	741901	Samacsys Pin Count：	8
Samacsys Part Category：	Integrated Circuit	Samacsys Package Category：	Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：	so-8	Samacsys Released Date：	2019-09-26 02:56:33
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	6.3 A	最大漏源导通电阻：	0.034 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	2.6 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	46 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CSD88539NDT 数据手册

CSD88539ND

ZHCSC33 –FEBRUARY 2014

CSD88539ND，双路 60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

1 特性

产品概要

•

超低 Q_g和 Q_gd

T_A= 25°C

典型值

单位

雪崩额定值

无铅

V_DS

Q_g

漏源电压

栅极电荷总量 (10V)

栅漏栅极电荷

7.2

mΩ

符合 RoHS 环保标准

无卤素

Q_gd

1.1

V_GS= 6V

V_GS= 10V

3.0

R_DS(on)漏源导通电阻

V_GS(th)阀值电压

2 应用范围

•

用于电机控制的半桥

同步降压转换器

订购信息

介质

器件

数量

2500

250

封装

出货

CSD88539ND

CSD88539NDT

13 英寸卷带

7 英寸卷带

3 说明

SO-8 塑料封装

卷带封装

这款双路小外形尺寸 (SO)-8，60V，23mΩ NexFET™

功率 MOSFET 被设计运行为低电流电机控制应用中的

半桥。

最大绝对额定值

T_A= 25°C

值

单位

顶视图

V_DS

V_GS

漏源电压

栅源电压

±20

持续漏极电流（受封装限制）

持续漏极电流（受芯片限制），T_C= 25°C

I_D

11.7

时测得

持续漏极电流⁽¹⁾

6.3

(2)

I_DM

P_D

脉冲漏极电流

功率耗散⁽¹⁾

2.1

T_J，

T_STG

运行结温和储存温度范围

-55 至 150

°C

雪崩能量，单脉冲

I_D= 22A，L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

(1) R_θJA= 60°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印

刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸²，2 盎司的铜过渡垫片上测得的

典型值

(2) 脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%

R_DS(on)与 V_GS间的关系

栅极电荷

T_C= 25°C,I _D= 5A

T_C= 125°C,I _D= 5A

I_D= 5A

V_DS= 30V

Q_g- Gate Charge (nC)

V_GS- Gate-to- Source Voltage (V)

G001

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SLPS456

12 3 4 5 6 7...15

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CSD88539NDT 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD88539ND	TI	完全替代	采用 SO-8 封装的双路、28mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

与CSD88539NDT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD88584Q5DC	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™
CSD88584Q5DCT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™
CSD88599Q5DC	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™
CSD88599Q5DCT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™
CSD88O	RECTRON	获取价格	TO-220 - Power Transistors and Darlingtons
CSD-8M	CENTRAL	获取价格	8.0 AMP SCR 600 THRU 800 VOLTS
CSD-8M_10	CENTRAL	获取价格	SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER 8 AMP, 600 THRU 800 VOLTS
CSD-8MBK	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element
CSD-8MBKLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 600V V(DRM)
CSD-8MBKPBFREE	CENTRAL	获取价格	暂无描述

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