是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.83 |
关态电压最小值的临界上升速率: | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流: | 15 mA |
最大直流栅极触发电压: | 1.5 V | 最大维持电流: | 20 mA |
JESD-609代码: | e0 | 最大漏电流: | 2 mA |
通态非重复峰值电流: | 80 A | 最大通态电流: | 8000 A |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
断态重复峰值电压: | 600 V | 子类别: | Silicon Controlled Rectifiers |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CSD-8N | CENTRAL |
获取价格 |
8.0 AMP SCR 600 THRU 800 VOLTS | |
CSD-8NBK | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 | |
CSD-8NBKLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 800V V(DRM) | |
CSD-8NBKPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 800V V(DRM), | |
CSD-8NBKTIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 800V V(DRM) | |
CSD-8NLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 | |
CSD-8NTIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, | |
CSD-8NTR13 | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element | |
CSD-8NTR13PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 800V V(DRM), | |
CSD-8NTR13TIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 800V V(DRM) |