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CSD88584Q5DCT

更新时间： 2024-11-25 11:12:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 电动机控制光电二极管
页数 文件大小 规格书
25页 1397K
描述
采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块 | DMM | 22 | -55 to 150

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CSD88584Q5DCT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SON,
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：1.63
模拟集成电路 - 其他类型：BRUSHLESS DC MOTOR CONTROLLERJESD-30 代码：R-PDSO-N22
JESD-609代码：e3长度：6 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：22最大输出电流：50 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SON
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260座面最大高度：1.05 mm
最大供电电压 (Vsup)：16 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：10 V表面贴装：YES
温度等级：MILITARY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：5 mmBase Number Matches：1

CSD88584Q5DCT 数据手册

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CSD88584Q5DC  
ZHCSG78D – MAY 2017 – REVISED DECEMBER 2018  
CSD88584Q5DC 40V 半桥 NexFET™ 电源块  
1 特性  
3 说明  
•
•
•
半桥电源块  
CSD88584Q5DC 40V 电源块是一款针对手持设备、  
无绳园艺工具和电动工具等高电流电机控制应用的优化  
设计。该器件利用 TI 获得专利的堆叠裸片技术来更大  
限度地减小寄生电感，同时采用节省空间的散热增强型  
DualCool™ 5mm × 6mm 封装，可提供完整半桥。利用  
外露的金属顶部，该电源块器件允许简单散热应用通过  
封装顶部散发 PCB 热量，从而在许多电机控制应用所  
要求的较高电流下，实现出色的热性能。  
高密度 5mm × 6mm SON 封装  
低 RDS(ON)，可更大限度地降低传导损耗  
– 电流为 35A 时，PLoss 为 2.4W  
DualCool™ 散热增强型封装  
超低电感封装  
•
•
•
•
•
符合 RoHS  
无卤素  
无铅端子镀层  
底视图  
顶视图  
2 应用  
•
•
•
GL  
NC  
GH  
SH  
用于无刷直流电机控制的三相桥  
多达 8s 电池的电动工具  
其他半桥和全桥拓扑  
VIN  
PGND  
VSW  
VIN  
GH  
SH  
VSW  
器件信息  
介质  
器件  
数量  
封装  
配送  
GL  
CSD88584Q5DC 2500 13 英寸卷带  
SON  
5.00mm × 6.00mm  
塑料封装  
卷带包  
装
PGND  
CSD88584Q5DCT 250  
7 英寸卷带  
Copyright © 2017, Texas Instruments Incorporated  
电源块原理图  
6
VIN  
VIN = 24 V  
VGS = 10 V  
5
4
3
2
1
0
D.C. = 50%  
L = 480 mH  
fSW = 20 kHz  
TA = 25èC  
VM  
CSD88584  
CSD88584  
CSD88584  
GH_A  
GL_A  
Motor  
GH_B  
GL_B  
DRV832X  
Gate Driver  
GH_C  
GL_C  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
RMS Phase Current (A)  
35  
40  
45  
50  
D000  
功率损耗与输出电流  
Copyright © 2018, Texas Instruments Incorporated  
典型电路  
本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问  
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLPS598  
 
 
 
 
1234567...25

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与CSD88584Q5DCT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD88599Q5DC TI

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 		采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™
CSD88599Q5DCT TI

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 		采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™
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 		SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER 8 AMP, 600 THRU 800 VOLTS
CSD-8MBK CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element
CSD-8MBKLEADFREE CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 600V V(DRM)
CSD-8MBKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CSD-8MBKTIN/LEAD CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 600V V(DRM)
CSD-8MPBFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述

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