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CMPT3646LEADFREE PDF预览

CMPT3646LEADFREE

更新时间： 2024-09-21 20:06:15
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 322K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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CMPT3646LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.19最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：15 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：350 MHz最大关闭时间（toff）：28 ns
最大开启时间（吨）：18 nsBase Number Matches：1

CMPT3646LEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPT3646LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMPT3646  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT3646 type is  
an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial  
planar process, epoxy molded in a surface mount  
package, designed for ultra high speed switching  
applications.  
MARKING CODE: C2R  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
40  
40  
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
CES  
CEO  
EBO  
V
V
15  
V
5.0  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
200  
mA  
mW  
°C  
C
P
350  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
0.5  
UNITS  
I
I
V
V
=20V  
µA  
µA  
V
CES  
CES  
CE  
CE  
=20V, T =65°C  
3.0  
A
BV  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
40  
40  
15  
5.0  
CBO  
CES  
C
I =10µA  
V
C
I =10mA  
V
CEO  
C
I =100µA  
V
EBO  
E
V
V
V
V
V
V
V
I =30mA, I =3.0mA  
0.20  
0.30  
0.28  
0.50  
0.95  
1.20  
1.70  
120  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =30mA, I =3.0mA, T =65°C  
V
C
B
A
I =100mA, I =10mA  
V
C
B
I =300mA, I =30mA  
V
C
B
I =30mA, I =3.0mA  
0.75  
V
C
B
I =100mA, I =10mA  
V
C
B
I =300mA, I =30mA  
V
C
B
h
h
h
V
=0.4V, I =30mA  
30  
25  
15  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
=0.5V, I =100mA  
C
FE  
=1.0V, I =300mA  
FE  
C
R3 (1-February 2010)  
12

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