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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMPT3646TRLEADFREE
CMPT3646TRLEADFREE PDF预览

CMPT3646TRLEADFREE

更新时间： 2024-09-21 13:06:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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CMPT3646TRLEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.19
最大集电极电流 (IC)：0.2 A基于收集器的最大容量：5 pF
集电极-发射极最大电压：15 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：350 MHz最大关闭时间（toff）：28 ns
最大开启时间（吨）：18 nsVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

CMPT3646TRLEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPT3646TRLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Ce n t r a l  
S e m ic o n d u c t o r Co r p .  
CMPT3646  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR  
CMPT3646 type is an NPN Silicon Transistor  
manufacturedbytheepitaxialplanarprocess,  
epoxy molded in a surface mount package,  
designed for high current, ultra high speed  
switching applications.  
Marking code is C2R.  
SOT-23 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
V
40  
40  
15  
5.0  
200  
350  
V
V
V
CBO  
CES  
CEO  
EBO  
V
I
P
mA  
mW  
C
Power Dissipation  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
o
T ,T  
-65 to +150  
357  
C
J stg  
Θ
C/W  
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
0.5  
3.0  
UNITS  
I
I
V
V
=20V  
=20V, T =65 C  
µA  
µA  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
CES  
CES  
CE  
CE  
o
A
BV  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
V
V
V
h
I =100µA  
40  
40  
15  
CBO  
CES  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
I =10µA  
C
I =10mA  
C
I =100µA  
5.0  
E
I =30mA, I =3.0mA  
0.20  
0.30  
0.28  
0.50  
0.95  
1.20  
1.70  
120  
C
B
B
B
B
B
B
B
C
o
I =30mA, I =3.0mA, T =65 C  
C
A
I =100mA, I =10mA  
C
I =300mA, I =30mA  
C
I =30mA, I =3.0mA  
0.75  
C
I =100mA, I =10mA  
C
I =300mA, I =30mA  
C
V
=0.4V, I =30mA  
30  
25  
CE  
CE  
h
V
=0.5V, I =100mA  
C
FE  
170  
12

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