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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMPT3906GTR
CMPT3906GTR PDF预览

CMPT3906GTR

更新时间： 2024-09-21 12:59:15
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 327K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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CMPT3906GTR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.1
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：300 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

CMPT3906GTR 数据手册

 浏览型号CMPT3906GTR的Datasheet PDF文件第2页 
CMPT3904 CMPT3904G* NPN  
CMPT3906 CMPT3906G* PNP  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
COMPLEMENTARY  
SILICON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
These CENTRAL SEMICONDUCTOR devices are  
complementary silicon transistors manufactured by the  
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface  
mount package, designed for small signal general  
purpose amplifier and switching applications.  
MARKING CODES: CMPT3904:  
CMPT3906:  
C1A  
C2A  
CMPT3904G*: CG1  
CMPT3906G*: CG2  
SOT-23 CASE  
Device is Halogen Free by design  
*
CMPT3904  
CMPT3904G* CMPT3906G*  
CMPT3906  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
V
V
60  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
40  
40  
V
V
6.0  
5.0  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
200  
350  
mA  
mW  
°C  
C
P
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
CMPT3904  
CMPT3904G*  
CMPT3906  
CMPT3906G*  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
UNITS  
nA  
I
V
=30V, V =3.0V  
-
50  
-
50  
CEV  
CE  
EB  
I
V
=30V, V =3.0V  
EB  
-
60  
40  
6.0  
-
50  
-
40  
40  
5.0  
-
50  
nA  
V
BL  
CE  
BV  
BV  
BV  
I =10μA  
-
-
CBO  
CEO  
C
I =1.0mA  
-
-
V
C
I =10μA  
-
0.20  
0.30  
0.85  
0.95  
-
-
0.25  
0.40  
0.85  
0.95  
-
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
-
-
V
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
0.65  
-
0.65  
-
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
h
h
h
h
h
V
=1.0V, I =0.1mA  
40  
70  
100  
60  
30  
60  
80  
100  
60  
30  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
=1.0V, I =1.0mA  
-
-
FE  
C
=1.0V, I =10mA  
300  
-
300  
-
FE  
C
=1.0V, I =50mA  
FE  
C
=1.0V, I =100mA  
-
-
FE  
C
R7 (1-February 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPT3906GTRLEADFREE CENTRAL

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 		Transistor
CMPT3906GTRPBFREE CENTRAL

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 		Transistor,
CMPT3906LEADFREE CENTRAL

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