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CMPT3906 PDF预览

CMPT3906

更新时间： 2024-09-20 22:40:15
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 103K
描述
COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

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CMPT3906 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.08Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：300 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

CMPT3906 数据手册

 浏览型号CMPT3906的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CMPT3904 NPN  
CMPT3906 PNP  
Semiconductor Corp.  
COMPLEMENTARY  
SILICON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT3904,  
CMPT3906 types are complementary silicon  
transistors manufactured by the epitaxial planar  
process, epoxy molded in a surface mount  
package, designed for small signal general  
purpose amplifier and switching applications.  
MARKING CODES:  
CMPT3904: C1A  
CMPT3906: C2A  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
CMPT3904  
CMPT3906  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
V
V
V
60  
40  
V
CBO  
CEO  
EBO  
40  
6.0  
40  
5.0  
V
V
mA  
mW  
I
P
200  
350  
C
D
T ,T  
stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
J
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
CMPT3904  
MIN MAX  
50  
CMPT3906  
SYMBOL  
CEV  
BL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
V
V
=30V, V =3.0V  
50  
50  
nA  
CE  
EB  
=30V, V =3.0V  
EB  
50  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
CE  
BV  
BV  
BV  
I =10µA  
60  
40  
6.0  
0.20  
0.30  
0.65 0.85  
0.95  
40  
40  
40  
5.0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =1.0mA  
C
I =10µA  
E
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.25  
0.40  
0.85  
0.95  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
C
B
B
B
B
I =50mA, I =5.0mA  
C
I =10mA, I =1.0mA  
0.65  
C
VB  
I =50mA, I =5.0mA  
E(SAT)  
C
h
h
h
h
h
V
=1.0V, I =0.1mA  
60  
80  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
=1.0V, I =1.0mA  
70  
100  
60  
FE  
FE  
FE  
FE  
C
=1.0V, I =10mA  
300  
100  
60  
300  
C
=1.0V, I =50mA  
C
=1.0V, I =100mA  
30  
30  
C
R4 (26-September 2002)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPT3906E CENTRAL

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 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSITORS
CMPT3906ETRPBFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CMPT3906G CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
CMPT3906GBK CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
CMPT3906GBKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CMPT3906GBKPBFREE CENTRAL

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 		Transistor,
CMPT3906GTR CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
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