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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMPT3904E
CMPT3904E PDF预览

CMPT3904E

更新时间： 2024-09-21 04:12:27
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 143K
描述
ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSITORS

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CMPT3904E 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.15
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：250 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

CMPT3904E 数据手册

 浏览型号CMPT3904E的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMPT3904E NPN  
CMPT3906E PNP  
Central  
The Central Semiconductor CMPT3904E ,  
CMPT3906E are Enhanced versions of the  
CMPT3904, CMPT3906 complementary switching  
transistors in a SOT-23 surface mount package,  
designed for small signal switching applications,  
interface circuit & driver circuit applications.  
Semiconductor Corp.  
ENHANCED SPECIFICATION  
SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY  
SILICON TRANSITORS  
DESCRIPTION:  
ENHANCED SPECIFICATIONS:  
♦ BV  
♦ BV  
♦ V  
from 40V min to 60V min. (CMPT3906E)  
from 5.0V min to 6.0V min. (CMPT3906E)  
from 0.3V max to 0.2V max.(CMPT3904E)  
CBO  
EBO  
SOT-23 CASE  
CE(SAT)  
from 0.4V max to 0.2V max.(CMPT3906E)  
♦ h  
from 60 min to 70 min. (CMPT3904E) (CMPT3906E)  
MARKING CODES: CMPT3904E: C1AE  
CMPT3906E: C2AE  
FE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
60  
40  
6.0  
200  
350  
V
V
V
mA  
mW  
♦
♦
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
J
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
CMPT3904E CMPT3906E  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=30V, V =3.0V  
MIN  
-
60  
40  
6.0  
TYP  
-
115  
60  
7.5  
0.057  
0.100  
0.75  
0.85  
240  
235  
215  
110  
50  
TYP  
-
90  
55  
MAX  
50  
-
UNITS  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
I
V
CEV  
CE  
I =10µA  
EB  
BV  
BV  
BV  
V
♦
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =1.0mA  
-
C
I =10µA  
E
7.9  
♦
♦
♦
I =10mA, I =1.0mA  
0.050  
0.100  
0.75  
0.85  
130  
150  
150  
120  
55  
0.100  
0.200  
0.85  
CE(SAT)  
C
B
V
V
V
h
h
h
I =50mA, I =5.0mA  
CE(SAT  
BE(SAT  
BE(SAT  
FE  
FE  
FE  
C
B
B
B
)
I =10mA, I =1.0mA  
0.65  
C
)
)
I =50mA, I =5.0mA  
0.95  
C
V
=1.0V, I =0.1mA  
C
90  
100  
100  
70  
♦
♦
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
V
V
V
V
=1.0V, I =1.0mA  
C
=1.0V, I =10mA  
C
300  
h
h
=1.0V, I =50mA  
♦
FE  
C
C
=1.0V, I =100mA  
30  
FE  
♦
Enhanced specification.  
R2 (13-November 2002)  
12

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CMPT3904E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KST3904MTF ONSEMI

功能相似

 NPN外延硅晶体管
KST3904MTF FAIRCHILD

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 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FR
CMPT3904EBK CENTRAL

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
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