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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMPT3820
CMPT3820 PDF预览

CMPT3820

更新时间： 2024-09-21 09:27:43
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 325K
描述
SURFACE MOUNT VERY LOW VCE(SAT) NPN SILICON TRANSISTOR

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CMPT3820 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.75Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

CMPT3820 数据手册

 浏览型号CMPT3820的Datasheet PDF文件第2页 
CMPT3820  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
VERY LOW V  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT3820 is  
a very low V NPN Transistor, designed for  
applications where size and efficiency are prime  
requirements. Packaged in an industry standard  
SOT-23, this device brings updated electrical  
specifications and characteristics suitable for the  
most demanding designs.  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
MARKING CODE: 38C  
SOT-23 CASE  
APPLICATIONS:  
FEATURES:  
Device is Halogen Free by design  
•
• DC/DC Converters  
Voltage Clamping  
•
•
•
• High Current (I =1.0A)  
C
Protection Circuits  
Battery powered Cell Phones, Pagers,  
Digital Cameras, PDAs, Laptops, etc.  
V
=0.28V MAX @  
I =1.0A  
CE(SAT) C  
•
SOT-23 surface mount package  
Complementary PNP device CMPT7820  
•
•
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
V
A
A
V
V
V
80  
60  
5.0  
1.0  
2.0  
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
I
A
CM  
I
P
300  
350  
-65 to +150  
357  
mA  
mW  
°C  
°C/W  
B
D
T , T  
stg  
J
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
100  
100  
UNITS  
I
I
V
V
=60V  
=5.0V  
nA  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
CBO  
EBO  
CB  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
80  
60  
5.0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =10mA  
C
I =100µA  
E
V
V
V
V
V
I =100mA, I =1.0mA  
I =500mA, I =50mA  
0.115  
0.15  
0.28  
1.1  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
C
C
B
I =1.0A, I =100mA  
B
I =1.0A, I =50mA  
C
B
V
=5.0V, I =1.0A  
0.9  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
h
h
h
V
V
V
V
V
=5.0V, I =1.0mA  
=5.0V, I =500mA  
200  
200  
100  
150  
C
C
FE  
FE  
=5.0V, I =1.0A  
C
f
=10V, I =50mA  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
10  
ob  
E
R1 (1-February 2010)  
12

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