CMBT2907A

更新时间： 2024-11-18 03:25:59

品牌	Logo	应用领域
CDIL		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	91K
描述
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CMBT2907A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.21
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
最大关闭时间（toff）：	100 ns	最大开启时间（吨）：	45 ns
Base Number Matches：	1

CMBT2907A 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

SOT-23 Formed SMD Package

CMBT2907

CMBT2907A

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

P–N–P silicon transistors

Marking

CMBT2907 = 2B

CMBT2907A = 2F

PACKAGE OUTLINE DETAILS

ALL DIMENSIONS IN mm

Pin configuration

1 = BASE

2 = EMITTER

3 = COLLECTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

CM BT2907 CM BT2907A

Collector–base voltage (open emitter)

Collector–emitter voltage (open base)

Emitter–base voltage (open collector)

Collector current (d.c.)

–V

max. 60

max. 40

max.

CB0

CE0

EB0

5,0

600

250

150

–I

m W

° C

Total power dissipation up to T

Junction temperature

= 25 °CP

amb

tot

max.

D.C. current gain

–I = 500mA; –V

= 10V

Turn–off switching time

—I = 150 mA; –I

= I

= 15 mA t

100

200

Con Bon

Boff

off

Transition frequency at f = 100 MHz

—I = 50 mA; –V = 20 V

MHz

Continental Device India Limited

Data Sheet

Page 1 of 4

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与CMBT2907A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CMBT3903	CDIL	获取价格	SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS
CMBT3904	CDIL	获取价格	SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS
CMBT3904	RECTRON	获取价格	SOT-23 - Power Transistor and Darlingtons
CMBT3904E	CENTRAL	获取价格	COMPLEMENTARY FEMTOminiTM SILICON TRANSISTORS
CMBT3904E_10	CENTRAL	获取价格	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
CMBT3904EBKPBFREE	CENTRAL	获取价格	暂无描述
CMBT3904ETR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.80 X
CMBT3904ETRLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Transistor
CMBT3904ETRPBFREE	CENTRAL	获取价格	Transistor,
CMBT3905	CDIL	获取价格	SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR