CMBT3903

更新时间： 2024-02-14 12:16:01

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CDIL		晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	95K
描述
SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS

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CMBT3903 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

CMBT3903 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

SOT-23 Formed SMD Package

CMBT3903

CMBT3904

SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS

N–P–N transistors

Marking

CMBT3903 = 1Y

CMBT3904 = 1A

PACKAGE OUTLINE DETAILS

ALL DIMENSIONS IN mm

Pin configuration

1 = BASE

2 = EMITTER

3 = COLLECTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Collector–base voltage (open emitter)

Collector–emitter voltage (open base)

Emitter–base voltage (open collector)

Collector current (DC)

max.

max. 200 mA

max. 250 m W

60 V

40 V

6 V

CB0

CE0

EB0

Total power dissipation up to T

DC current gain

= 25 °C

amb

tot

CMBT3903

CMBT3904

150

100

300

= 10 mA; V

= 1 V

= 10 mA; V

= 1 V

Transition frequency at f = 35 MHz

= 10 mA; V = 20 V

300 MHz

Continental Device India Limited

Data Sheet

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