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CMBT3903 PDF预览

CMBT3903

更新时间： 2024-02-21 06:28:48
品牌 Logo 应用领域
CDIL 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 95K
描述
SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS

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CMBT3903 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.73
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

CMBT3903 数据手册

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CMBT3903  
CMBT3904  
RATINGS (at T = 25°C unless otherwise specified)  
A
Limiting values  
Collector–base voltage (open emitter)  
Collector–emitter voltage (open base)  
Emitter–base voltage (open collector)  
Collector current (d.c.)  
V
V
V
max.  
max.  
max.  
60 V  
40 V  
6 V  
CB0  
CE0  
EB0  
I
max. 200 mA  
C
Total power dissipation  
up to T  
Storage temperature  
° C  
= 25 °C  
P
T
max. 250 m W  
–55 to +150  
amb  
tot  
stg  
Junction temperature  
T
j
max. 150 ° C  
THERMAL RESISTANCE  
=
+
+
+
T
j
P (R  
R
th t–s  
R
th s–a  
)
T
amb  
th j–t  
Thermal resistance  
from junction to ambient  
R
=
500 K/W  
th j–a  
CHARACTERISTICS  
=
T
25 °C unless otherwise specified  
amb  
Collector–emitter breakdown voltage  
= 1 mA; l = 0  
I
C
V
V
V
min.  
min.  
min.  
max.  
max.  
max.  
40 V  
60 V  
6 V  
B
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CEX  
Collector–base breakdown voltage  
= 10mA; I = 0  
I
C
E
Emitter–base breakdown voltage  
= 10mA; I = 0  
I
E
C
Collector cut–off current  
V
= 30 V; V = 3 V  
I
50 nA  
4 pF  
8 pF  
CE  
EB  
Output capacitance at f = 1 MHz  
= 0; V = 5 V  
I
E
C
C
CB  
Input capacitance at f = 1 MHz  
= 0; V = 0,5 V  
c
e
I
C
BE  
Base current  
with reverse biased emitter junction  
= 3 V; V = 30 V  
V
EB  
I
BEX  
max.  
50 nA  
CE  
Saturation voltages  
I
C
I
C
= 10 mA; l = 1 mA  
V
V
max. 0.2 V  
max. 0.3 V  
B
CEsat  
CEsat  
= 50 mA; 1 = 5 mA  
B
I
= 10 mA; l = 1 mA  
V
min. 0.65 V  
max. 0.85 V  
C
C
B
BEsat  
I
= 50 mA; l = 5 mA  
V
BEsat  
max. 0.95 V  
B
Continental Device India Limited  
Data Sheet  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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