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CMBT3904

更新时间： 2024-02-03 06:55:31

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CDIL		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	95K
描述
SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS

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CMBT3904 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	100
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
Base Number Matches：	1

CMBT3904 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

SOT-23 Formed SMD Package

CMBT3903

CMBT3904

SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS

N–P–N transistors

Marking

CMBT3903 = 1Y

CMBT3904 = 1A

PACKAGE OUTLINE DETAILS

ALL DIMENSIONS IN mm

Pin configuration

1 = BASE

2 = EMITTER

3 = COLLECTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Collector–base voltage (open emitter)

Collector–emitter voltage (open base)

Emitter–base voltage (open collector)

Collector current (DC)

max.

max. 200 mA

max. 250 m W

60 V

40 V

6 V

CB0

CE0

EB0

Total power dissipation up to T

DC current gain

= 25 °C

amb

tot

CMBT3903

CMBT3904

150

100

300

= 10 mA; V

= 1 V

= 10 mA; V

= 1 V

Transition frequency at f = 35 MHz

= 10 mA; V = 20 V

300 MHz

Continental Device India Limited

Data Sheet

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