型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CGHV27200 | CREE |
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200 W, 2500-2700 MHz, GaN HEMT for LTE | |
CGHV27200_15 | CREE |
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200 W, 2500-2700 MHz, GaN HEMT for LTE | |
CGHV27200-AMP | CREE |
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200 W, 2500-2700 MHz, GaN HEMT for LTE | |
CGHV27200F | CREE |
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200 W, 2500-2700 MHz, GaN HEMT for LTE | |
CGHV27200P | CREE |
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RF Power Field-Effect Transistor, | |
CGHV27200-TB | CREE |
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200 W, 2500-2700 MHz, GaN HEMT for LTE | |
CGHV27300MP | CREE |
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RF Power Field-Effect Transistor | |
CGHV31500 | MACOM |
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500W, 2.7 - 3.1 GHz, GaN IMFET | |
CGHV31500F | CREE |
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500 W, 2700 - 3100 MHz, 50-Ohm Input | |
CGHV31500F-AMP | CREE |
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500 W, 2700 - 3100 MHz, 50-Ohm Input |