5秒后页面跳转
BYV4100T/R PDF预览

BYV4100T/R

更新时间: 2024-09-12 20:50:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 软恢复二极管快速软恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 58K
描述
DIODE 1.9 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Rectifier Diode

BYV4100T/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76应用:FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2最大非重复峰值正向电流:90 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最大输出电流:1.9 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:0.015 µs
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BYV4100T/R 数据手册

 浏览型号BYV4100T/R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BYV4100T/R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BYV4100T/R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BYV4100T/R的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BYV4100T/R的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BYV4100T/R的Datasheet PDF文件第7页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BYV4100  
Fast soft-recovery  
controlled avalanche rectifier  
1996 Oct 07  
Product specification  

与BYV4100T/R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYV410-600 NXP

获取价格

Enhanced ultrafast dual rectifier diode
BYV410-600 WEEN

获取价格

Dual enhanced ultrafast power diode in a SOT78 (TO-220AB) plastic package.
BYV410-600,127 NXP

获取价格

BYV410-600
BYV410-600P WEEN

获取价格

Dual ultrafast power diodes in a TO220 plastic package.
BYV410X-600 NXP

获取价格

Enhanced ultrafast dual rectifier diode
BYV410X-600 WEEN

获取价格

Dual enhanced ultrafast power diode in a TO220F plastic package.
BYV410X-600P WEEN

获取价格

Dual ultrafast power diodes
BYV415J-600P WEEN

获取价格

Dual ultrafast power diode
BYV415K-600P WEEN

获取价格

Dual ultrafast power diode
BYV415W-600P WEEN

获取价格

Dual ultrafast power diode