是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.35 | 应用: | ULTRA FAST RECOVERY POWER |
配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最大输出电流: | 30 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 250 |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
最大反向恢复时间: | 0.028 µs | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BYV42EB100 | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 30A, 100V V(RRM), | |
BYV42EB-100 | NXP |
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DIODE 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYV42EB100T/R | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 30A, 100V V(RRM), | |
BYV42EB-100T/R | NXP |
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DIODE 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYV42EB-150 | NXP |
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Rectifier diodes ultrafast, rugged | |
BYV42EB-150T/R | NXP |
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DIODE 15 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYV42EB-200 | NXP |
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Rectifier diodes ultrafast, rugged | |
BYV42EB-200 | WEEN |
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Dual ultrafast power diode in a SOT404 (D2PAK) surface-mountable plastic | |
BYV42EB-200,118 | NXP |
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BYV42EB-200 | |
BYV42EB-200T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, SMD, D2PAK-3, Rectifier Diode |