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BYV42G-200

更新时间： 2024-02-23 11:47:29

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恩智浦 - NXP		超快软恢复二极管快速软恢复二极管超快速软恢复能力电源
页数	文件大小	规格书
11页	140K
描述
15A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

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BYV42G-200 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TO-262, I2PAK-3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.75
应用：	ULTRA FAST SOFT RECOVERY POWER	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	15 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向恢复时间：	0.028 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

BYV42G-200 数据手册

BYV42G-200

I2P

Dual ultrafast power diode

Rev. 01 — 11 January 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Dual ultrafast power diode in a SOT226A (I2PAK) low-profile plastic package.

1.2 Features and benefits

High reverse voltage surge capability

High thermal cycling performance

Low thermal resistance

Soft recovery characteristic minimizes

power consuming oscillations

Very low on-state loss

1.3 Applications

Output rectifiers in high-frequency

switched-mode power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_RRM

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

repetitive peak reverse

voltage

200

I_O(AV)

average output current square-wave pulse; δ = 0.5 ;

T_mb≤ 104 °C; both diodes

conducting; see Figure 1;

see Figure 2

I_FSM

I_RRM

V_ESD

non-repetitive peak

forward current

T_j(init)= 25 °C; t_p= 10 ms;

sine-wave pulse; per diode

160

0.2

repetitive peak reverse t_p= 2 µs; δ = 0.001

current

electrostatic discharge HBM; C = 250 pF; R = 1.5 kΩ;

voltage

Static characteristics

V_Fforward voltage

all pins

I_F= 15 A; T_j= 150 °C;

see Figure 4

0.78 0.85

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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