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BYV42G-200

更新时间: 2024-11-18 17:05:51
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恩智浦 - NXP 超快软恢复二极管快速软恢复二极管超快速软恢复能力电源
页数 文件大小 规格书
11页 140K
描述
15A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

BYV42G-200 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-262AA包装说明:R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.72
应用:ULTRA FAST SOFT RECOVERY POWER外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:TO-262AA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:150 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:15 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):245
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向恢复时间:0.028 µs表面贴装:NO
端子面层:TIN端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

BYV42G-200 数据手册

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BYV42G-200  
AK  
I2P  
Dual ultrafast power diode  
Rev. 01 — 11 January 2011  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Dual ultrafast power diode in a SOT226A (I2PAK) low-profile plastic package.  
1.2 Features and benefits  
„ High reverse voltage surge capability  
„ High thermal cycling performance  
„ Low thermal resistance  
„ Soft recovery characteristic minimizes  
power consuming oscillations  
„ Very low on-state loss  
1.3 Applications  
„ Output rectifiers in high-frequency  
switched-mode power supplies  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VRRM  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min Typ Max Unit  
repetitive peak reverse  
voltage  
-
-
200  
V
IO(AV)  
average output current square-wave pulse; δ = 0.5 ;  
Tmb 104 °C; both diodes  
-
-
30  
A
conducting; see Figure 1;  
see Figure 2  
IFSM  
IRRM  
VESD  
non-repetitive peak  
forward current  
Tj(init) = 25 °C; tp = 10 ms;  
sine-wave pulse; per diode  
-
-
-
-
-
-
160  
0.2  
8
A
repetitive peak reverse tp = 2 µs; δ = 0.001  
current  
A
electrostatic discharge HBM; C = 250 pF; R = 1.5 k;  
kV  
voltage  
Static characteristics  
VF forward voltage  
all pins  
IF = 15 A; Tj = 150 °C;  
see Figure 4  
-
0.78 0.85  
V
 
 
 
 
 

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