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BYV52PI-200

更新时间: 2024-11-17 22:08:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管功效快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
6页 73K
描述
HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES

BYV52PI-200 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.82
其他特性:FREE WHEELING DIODE应用:EFFICIENCY
外壳连接:ISOLATED配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:500 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:30 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):245
最大功率耗散:45 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向电流:25 µA
最大反向恢复时间:0.05 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BYV52PI-200 数据手册

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BYV52/PI  
HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES  
FEATURES  
SUITED FOR SMPS  
A1  
A2  
VERY LOW FORWARD LOSSES  
NEGLIGIBLESWITCHING LOSSES  
HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY  
HIGH AVALANCHEENERGY CAPABILITY  
K
INSULATEDVERSIONTOP3I :  
Insulatingvoltage = 2500 V DC  
Capacitance = 12 pF  
DESCRIPTION  
Dual center tap rectifier suited for switchmode  
power supply and high frequency DC to DC  
converters.  
Packaged in SOT93, or TOP3I this device is  
intended for use in low voltage, high frequency  
inverters, free wheeling and polarity protection  
applications.  
isolated  
TOP3I  
(Plastic)  
SOT93  
(Plastic)  
BYV52-200  
BYV52PI-200  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
IF(RMS)  
50  
A
A
Per diode  
Tc=110°C Per diode  
RMS forward current  
IF(AV)  
30  
30  
SOT93  
TOP3I  
Average forward current  
δ = 0.5  
Tc=90°C  
Per diode  
Per diode  
IFSM  
500  
A
tp=10ms  
Surge non repetitiveforward current  
sinusoidal  
Tstg  
Tj  
- 40 to + 150  
- 40 to + 150  
°C  
C
Storage and junction temperature range  
°
Symbol  
Parameter  
Value  
200  
Unit  
VRRM  
V
Repetitivepeak reverse voltage  
October 1999  
Ed : 2C  
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