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BYV410X-600

更新时间： 2024-09-16 17:02:07

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Dual enhanced ultrafast power diode in a TO220F plastic package.

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BYV410X-600 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	应用：	ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	132 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BYV410X-600 数据手册

BYV410X-600

Dual enhanced ultrafast power diode

Rev. 02 - 7 November 2018

Product data sheet

1. General description

Dual enhanced ultrafast power diode in a TO220F plastic package.

2. Features and benefits

•

High thermal cycling performance

•

Isolated package

Low thermal resistance

Soft recovery characteristic minimizes power consuming oscillations

Very low on-state losses

3. Applications

•

Dual mode (DCM and CCM) PFC

Power Factor Correction (PFC) for Interleaved Topology

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

V_R

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

600

132

Unit

reverse voltage

I_FSM

non-repetitive peak

forward current

t_p= 8.3 ms; T_j(init)= 25 °C; SIN; per

diode

t_p= 10 ms; T_j(init)= 25 °C; SIN; per

diode

120

Static characteristics

V_F

forward voltage

I_F= 10 A; T_j= 25 °C; Fig. 4

I_F= 10 A; T_j= 150 °C

1.4

1.3

2.1

1.9

Dynamic characteristics

t_rr

reverse recovery time I_F= 1 A; V_R= 30 V; dI_F/dt = 100 A/µs;

T_j= 25 °C; Fig. 5

12 3 4 5 6 7...11

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