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BYV32-50SMD

更新时间： 2024-01-04 10:47:09
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 整流二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 439K
描述
DUAL FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE

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BYV32-50SMD 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220TX
包装说明：S-MSIP-P3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.65应用：FAST RECOVERY
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：S-MSIP-P3
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
封装主体材料：METAL封装形状：SQUARE
封装形式：IN-LINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

BYV32-50SMD 数据手册

 浏览型号BYV32-50SMD的Datasheet PDF文件第2页 
DUAL FAST RECOVERY  
RECTIFIER DIODE  
BYV32-50SMD BYV32-100SMD  
BYV32-150SMD BYV32-200SMD  
•
Very Low Reverse Recovery Time – t <35ns.  
rr  
•
•
•
Voltage Range 50V To 200V.  
Hermetic Ceramic Surface Mount Package.  
Ideally Suited For Switching Power Supplies, Inverters And As  
Free Wheeling Diodes.  
•
Space Level and High-Reliability Screening Options Available  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (PerDiode, T = 25°C unless otherwise stated)  
C
-50  
-100  
-150  
-200  
V
V
V
I
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
Continuous Reverse Voltage  
50V 100V 150V 200V  
RRM  
RWM  
R
50V 100V 150V 200V  
50V 100V 150V 200V  
Repetitive Peak Forward Current (t = 10µs)  
200A  
20A  
FRM  
F(AV)  
FSM  
p
(1)  
I
I
Average Forward Current (T = 70°C)  
C
Surge Peak Forward Current (t = 8.3ms half-sine)  
80A  
p
T
StorageTemperature Range  
-65 to +200°C  
+200°C  
STG  
J
T
Maximum Operating Junction Temperature  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per Diode, T = 25°C unless otherwise stated)  
C
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
1.1  
Units  
I = 8A  
F
T
T
= 25°C  
C
C
(2)  
V
F
I = 20A  
F
Forward Voltage Drop  
V
1.5  
I = 5A  
F
= 100°C  
0.95  
30  
V = V  
R
RWM  
I
Reverse Leakage Current  
Reverse Recovery Time  
µA  
ns  
R
T
= 100°C  
600  
35  
C
I = 1.0A  
F
di/dt = 50A/µs  
t
I = 0.5A  
F
I = 1.0A  
R
rr  
25  
I
= 0.25A  
REC  
Notes  
(1) Switching operation, Duty Cycle = 50%, both diodes conducting.  
(2) Pulse Width < 300µs, Duty Cycle < 2%  
THERMAL PROPERTIES  
Symbol  
Parameter  
Max Units  
1.6 °C/W  
R
Thermal Resistance Junction to Case (per diode)  
θJC  
Semelab Limited reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice.  
Information furnished by Semelab is believed to be both accurate and reliable at the time of going to press. However  
Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use. Semelab encourages customers to  
verify that datasheets are current before placing an order.  
Semelab Limited  
Telephone +44 (0) 1455 556565  
Email: sales@semelab-tt.com  
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB  
Fax +44 (0) 1455 552612  
Website: http://www.semelab-tt.com  
Document Number 9461  
Issue 1  
Page 1 of 2  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYV3250XM SEME-LAB

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BYV32-50-XTM SEME-LAB

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 		HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS
BYV32E NXP

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BYV32E-100 NXP

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BYV32E-100 WEEN

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