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BYV32EB-100

更新时间： 2024-11-25 21:17:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
7页 51K
描述
DIODE 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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BYV32EB-100 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.76其他特性：SURGE CAPABILITY
应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.15 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：137 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.025 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

BYV32EB-100 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
ultrafast, rugged  
BYV32E, BYV32EB series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
VR = 100/ 150 V/ 200 V  
VF ≤ 0.85 V  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
• Soft recovery characteristic  
• Reverse surge capability  
• High thermal cycling performance  
• Low thermal resistance  
a1  
1
a2  
3
IO(AV) = 20 A  
IRRM = 0.2 A  
k
2
trr ≤ 25 ns  
GENERAL DESCRIPTION  
Dual, ultra-fast, epitaxial rectifier diodes intended for use as output rectifiers in high frequency switched mode power  
supplies.  
The BYV32E series is supplied in the SOT78 conventional leaded package.  
The BYV32EB series is supplied in the SOT404 surface mounting package.  
PINNING  
SOT78 (TO220AB)  
SOT404  
PIN  
DESCRIPTION  
anode 1 (a)  
cathode (k) 1  
tab  
tab  
1
2
2
3
anode 2 (a)  
cathode (k)  
1
3
1 2 3  
tab  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN.  
BYV32E / BYV32EB  
MAX.  
UNIT  
-100  
-150  
150  
-200  
VRRM  
Peaqk repetitive reverse  
-
100  
200  
V
voltage  
VRWM  
VR  
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
-
-
100  
100  
150  
150  
200  
200  
V
V
IO(AV)  
IFRM  
IFSM  
Average rectified output current square wave; δ = 0.5;  
(both diodes conducting) Tmb ≤ 115 ˚C  
-
-
20  
20  
A
A
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
per diode  
Non-repetitive peak forward  
current per diode  
Tmb ≤ 115 ˚C  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
-
-
125  
137  
A
A
sinusoidal; with reapplied  
VRWM(max)  
IRRM  
IRSM  
Repetitive peak reverse current tp = 2 µs; δ = 0.001  
-
-
0.2  
0.2  
A
A
per diode  
Non-repetitive peak reverse  
current per diode  
tp = 100 µs  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
-40  
-
150  
150  
˚C  
˚C  
1 It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package  
August 2001  
1
Rev 1.300  
1234567

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与BYV32EB-100相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYV32EB100T/R PHILIPS

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 		Rectifier Diode, 20A, 100V V(RRM),
BYV32EB-100T/R PHILIPS

获取价格

 		DIODE 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYV32EB-150 NXP

获取价格

 		Rectifier diodes ultrafast, rugged
BYV32EB150T/R PHILIPS

获取价格

 		Rectifier Diode, 20A, 150V V(RRM),
BYV32EB-150T/R NXP

获取价格

 		DIODE 20 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYV32EB-200 NXP

获取价格

 		Rectifier diodes ultrafast, rugged
BYV32EB-200 WEEN

获取价格

 		Dual ultrafast power diode in a?TO263 (D2PAK) surface-mountable plastic package.
BYV32EB-200,118 NXP

获取价格

 		BYV32EB-200
BYV32EB-200/T3 NXP

获取价格

 		DIODE 20 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, D2PAK-3, Rectifier Diode
BYV32EB-200P WEEN

获取价格

 		Dual ultrafast power diodes

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