5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 160 A | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 10 A | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYV32F50 | NXP |
获取价格 |
RECTIFIER DIODES,COMMON CATHODE,50V V(RRM),SOT-186 |
|
| BYV32FSERIES | NXP |
获取价格 |
Rectifier diodes ultrafast. rugged |
|
| BYV32G-200 | NXP |
获取价格 |
Dual ultrafast power diode |
|
| BYV32G-200 | WEEN |
获取价格 |
Dual ultrafast power diode in a SOT226A (I2PAK) low-profile plastic package. |
|
| BYV32-XXX | VISHAY |
获取价格 |
Dual Common-Cathode Ultrafast Rectifier |
|
| BYV34 | NXP |
获取价格 |
Dual rectifier diodes ultrafast |
|
| BYV34-300 | NXP |
获取价格 |
Dual rectifier diodes ultrafast |
|
| BYV34-300/B | ETC |
获取价格 |
DIODE ULTRA FAST 2X10A |
|
| BYV34300M | SEME-LAB |
获取价格 |
HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS |
|
| BYV34-300M | SEME-LAB |
获取价格 |
HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
