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BYV34-500

更新时间： 2024-11-20 22:15:23

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恩智浦 - NXP		整流二极管
页数	文件大小	规格书
5页	50K
描述
Dual rectifier diodes ultrafast

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BYV34-500 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否无铅：	不含铅
是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.33
其他特性：	FAST SWITCHING	应用：	ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.4 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	132 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	500 V
最大反向恢复时间：	0.06 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BYV34-500 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Dual rectifier diodes

ultrafast

BYV34 series

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• Low forward volt drop

• Fast switching

• Soft recovery characteristic

• High thermal cycling performance

• Low thermal resistance

V_R= 300 V/ 400 V/ 500 V

V_F≤ 1.05 V

I_O(AV)= 20 A

t_rr≤ 60 ns

GENERAL DESCRIPTION

PINNING

SOT78 (TO220AB)

Dual, common cathode, ultra-fast,

epitaxial rectifier diodes intended

for use as output rectifiers in high

frequency switched mode power

supplies.

DESCRIPTION

anode 1

cathode

tab

The BYV34 series is supplied in the

anode 2

cathode

conventional

leaded

SOT78

(TO220AB) package.

tab

1 2 3

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

BYV34

-300

300

-400

400

-500

500

V_RRM

V_RWM

V_R

Peak repetitive reverse voltage

Crest working reverse voltage

Continuous reverse voltage

T_mb≤ 138˚C

I_O(AV)

I_FRM

I_FSM

Average rectified output current square wave; δ = 0.5;

(both diodes conducting)¹

T_mb≤ 115 ˚C

Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;

per diode

Non-repetitive peak forward

current per diode.

T_mb≤ 115 ˚C

t = 10 ms

120

132

t = 8.3 ms

sinusoidal; with reapplied

V_RRM(max)

T_stg

T_j

Storage temperature

Operating junction temperature

-40

150

˚C

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN. TYP. MAX. UNIT

R_{th j-hs}

Thermal resistance junction to per diode

2.4

1.6

K/W

heatsink

both diodes conducting

R_{th j-a}

Thermal resistance junction to in free air.

ambient

1 Neglecting switching and reverse current losses

October 1998

Rev 1.400

12 3 4 5

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BYV34-600	WEEN	获取价格	Dual ultrafast power diode in a SOT78 (TO-220AB) plastic package.
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BYV34G-600	WEEN	获取价格	Dual ultrafast power diode in a SOT226 (low profile 3-lead TO-220AB) plastic package.
BYV34SERIES	ETC	获取价格	Dual rectifier diodes ultrafast

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