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BYV36AT/R

更新时间: 2024-11-21 13:06:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
14页 82K
描述
DIODE SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode

BYV36AT/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.64
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.3 V
JESD-30 代码:E-LALF-W2最大非重复峰值正向电流:30 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.87 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ELLIPTICAL封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified参考标准:IEC-134
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:0.1 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

BYV36AT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BYV36 series  
Fast soft-recovery  
controlled avalanche rectifiers  
1996 Jul 01  
Product specification  
Supersedes data of 1996 May 30  

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