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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 应用： | EFFICIENCY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.45 V |
| JEDEC-95代码： | DO-15 | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 30 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 1.5 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 参考标准： | TS 16949 | 最大重复峰值反向电压： | 800 V |
| 最大反向电流： | 5 µA | 最大反向恢复时间： | 0.15 µs |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYV36DGP | GULFSEMI |
获取价格 |
SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTI |
|
| BYV36DT/R | NXP |
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DIODE SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode |
|
| BYV36DT/R | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 800V V(RRM), |
|
| BYV36E | SYNSEMI |
获取价格 |
VERY FAST SOFT-RECOVERY AVALANCHE RECTIFIER DIODES |
|
| BYV36E | LGE |
获取价格 |
Fast Recovery Rectifiers |
|
| BYV36E | GULFSEMI |
获取价格 |
SINTERED GLASS JUNCTION FAST AVALANCHE RECTIFIER VOLTAGE: 1000V CURRENT: 1.5A |
|
| BYV36E | SUNMATE |
获取价格 |
1.6A plug-in fast recovery diode 1000V DO-15 series |
|
| BYV36E | NXP |
获取价格 |
Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers |
|
| BYV36E | BL Galaxy Electrical |
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FAST RECOVERY RECTIFIERS |
|
| BYV36E | EIC |
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Avalanche Rectifiers |
|
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