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BYV34-300/B

更新时间： 2024-02-21 15:09:18
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其他 - ETC 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 50K
描述
DIODE ULTRA FAST 2X10A

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BYV34-300/B 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.66Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY应用：FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-CBCC-N3最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：500 V最大反向恢复时间：0.05 µs
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BYV34-300/B 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Dual rectifier diodes  
ultrafast  
BYV34 series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
• Soft recovery characteristic  
• High thermal cycling performance  
• Low thermal resistance  
VR = 300 V/ 400 V/ 500 V  
a1  
1
a2  
3
VF ≤ 1.05 V  
IO(AV) = 20 A  
trr ≤ 60 ns  
k
2
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT78 (TO220AB)  
Dual, common cathode, ultra-fast,  
epitaxial rectifier diodes intended  
for use as output rectifiers in high  
frequency switched mode power  
supplies.  
PIN  
DESCRIPTION  
anode 1  
cathode  
tab  
1
2
The BYV34 series is supplied in the  
3
anode 2  
cathode  
conventional  
leaded  
SOT78  
(TO220AB) package.  
tab  
1 2 3  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
BYV34  
-300  
300  
300  
300  
-400  
400  
400  
400  
-500  
500  
500  
500  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak repetitive reverse voltage  
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
-
-
-
V
V
V
Tmb ≤ 138˚C  
IO(AV)  
IFRM  
IFSM  
Average rectified output current square wave; δ = 0.5;  
-
20  
A
(both diodes conducting)1  
Tmb ≤ 115 ˚C  
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
-
20  
A
per diode  
Non-repetitive peak forward  
current per diode.  
Tmb ≤ 115 ˚C  
t = 10 ms  
-
-
120  
132  
A
A
t = 8.3 ms  
sinusoidal; with reapplied  
VRRM(max)  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
-40  
-
150  
150  
˚C  
˚C  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Rth j-hs  
Thermal resistance junction to per diode  
-
-
-
-
-
60  
2.4  
1.6  
-
K/W  
K/W  
K/W  
heatsink  
both diodes conducting  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to in free air.  
ambient  
1 Neglecting switching and reverse current losses  
October 1998  
1
Rev 1.400  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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