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BYV34-400

更新时间: 2024-11-26 17:01:43
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瑞能 - WEEN /
页数 文件大小 规格书
10页 384K
描述
Dual ultrafast power diode in a TO220 plastic package.

BYV34-400 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PSFM-T3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.47其他特性:FAST SWITCHING
应用:ULTRA FAST SOFT RECOVERY POWER外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.35 V
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:132 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:10 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
参考标准:IEC-60134最大重复峰值反向电压:400 V
最大反向电流:50 µA最大反向恢复时间:0.06 µs
表面贴装:NO端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

BYV34-400 数据手册

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BYV34-400  
Dual ultrafast power diode  
Rev.02 - 26 November 2019  
Product data sheet  
1. General description  
Dual ultrafast power diode in a TO220 plastic package.  
2. Features and benefits  
Soft recovery characteristic minimizes power consuming oscillations  
Very low on-state losses  
Fast switching  
High thermal cycling performance  
Low thermal resistance  
Low forward voltage drop  
3. Applications  
Output rectifiers in high-frequency switched-mode power supplies  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol Parameter  
Conditions  
Values  
Unit  
Absolute maximum rating  
VRRM  
IO(AV)  
IFRM  
repetitive peak reverse  
voltage  
400  
20  
V
A
A
average output current  
SQW; δ = 0.5; Tmb ≤ 115 °C; both diodes  
conducting; Fig. 1; Fig. 2  
repetitive peak forward δ = 0.5 ; tp = 25 μs; Tmb ≤ 115 °C; per diode  
20  
current  
IFSM  
non-repetitive peak  
forward current  
SIN; tp = 10 ms; Tj(init) = 25 °C; per diode  
SIN; tp = 8.3 ms; Tj(init) = 25 °C; per diode  
Conditions  
120  
132  
A
A
Symbol Parameter  
Static characteristics  
Min  
Typ  
Max  
1.05  
60  
Unit  
VF  
Dynamic characteristics  
trr reverse recovery time  
forward voltage  
IF = 10 A; Tj = 150 °C; Fig. 4  
-
-
0.87  
50  
V
IF = 1 A; VR = 30 V; dIF/dt = 100 A/μs;  
Tj = 25 °C; Fig. 6; Fig. 7  
ns  

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