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BYV32G-200

更新时间: 2024-09-27 12:28:47
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恩智浦 - NXP 整流二极管超快速软恢复能力电源超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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11页 156K
描述
Dual ultrafast power diode

BYV32G-200 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-262AA包装说明:R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.72
Is Samacsys:N应用:ULTRA FAST SOFT RECOVERY POWER
外壳连接:CATHODE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:TO-262AAJESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:137 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:10 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):245认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:0.025 µs
表面贴装:NO端子面层:TIN
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

BYV32G-200 数据手册

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BYV32G-200  
AK  
I2P  
Dual ultrafast power diode  
Rev. 01 — 11 January 2011  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Dual ultrafast power diode in a SOT226A (I2PAK) low-profile plastic package.  
1.2 Features and benefits  
„ High reverse voltage surge capability  
„ High thermal cycling performance  
„ Low thermal resistance  
„ Soft recovery characteristic minimizes  
power consuming oscillations  
„ Very low on-state loss  
1.3 Applications  
„ Output rectifiers in high-frequency  
switched-mode power supplies  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VRRM  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min Typ Max Unit  
repetitive peak reverse  
voltage  
-
-
200  
V
IO(AV)  
average output current square-wave pulse; δ = 0.5 ;  
Tmb 115 °C; both diodes  
-
-
20  
A
conducting; see Figure 1;  
see Figure 2  
IFSM  
IRRM  
VESD  
non-repetitive peak  
forward current  
Tj(init) = 25 °C; tp = 10 ms;  
sine-wave pulse; per diode  
-
-
-
-
-
-
125  
0.2  
8
A
repetitive peak reverse tp = 2 µs; δ = 0.001  
current  
A
electrostatic discharge HBM; C = 250 pF; R = 1.5 k;  
kV  
voltage  
Static characteristics  
VF forward voltage  
all pins  
IF = 8 A; Tj = 150 °C;  
see Figure 4  
-
0.72 0.85  
V

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