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BYV32G-200

更新时间： 2024-11-26 17:02:11
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瑞能 - WEEN /
页数 文件大小 规格书
11页 406K
描述
Dual ultrafast power diode in a SOT226A (I2PAK) low-profile plastic package.

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BYV32G-200 技术参数

生命周期：Active包装说明：TO-262, I2PAK-3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.75
Is Samacsys：N应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：137 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：245
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.025 µs表面贴装：NO
端子面层：TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

BYV32G-200 数据手册

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BYV32G-200  
Dual ultrafast power diode  
Rev.02 - 7 March 2018  
Product data sheet  
1. General description  
Dual ultrafast power diode in a SOT226A (I2PAK) low-profile plastic package.  
2. Features and benefits  
•
High reverse voltage surge capability  
•
•
•
•
High thermal cycling performance  
Low thermal resistance  
Very low on-state loss  
Soft recovery characteristic minimizes power consuming oscillations  
3. Applications  
•
Output rectifiers in high-frequency switched-mode power supplies  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol Parameter  
Conditions  
Values  
Unit  
Absolute maximum rating  
VRRM  
IO(AV)  
IRRM  
VESD  
IFRM  
repetitive peak reverse  
voltage  
200  
20  
V
average output current  
δ = 0.5; square-wave pulse; Tmb ≤ 115 °C;  
both diodes conducting; Fig. 1; Fig. 2  
A
repetitive peak reverse δ = 0.001; tp = 2 μs;  
current  
0.2  
8
A
electrostatic discharge  
voltage  
HBM; C = 250 pF; R = 1.5 kΩ; all pins  
kV  
A
repetitive peak forward δ = 0.5; tp = 25 μs; Tmb ≤ 115 °C;  
20  
current  
per diode  
IFSM  
non-repetitive peak  
forward current  
tp = 10 ms; sine-wave pulse; Tj(init) = 25 °C;  
per diode  
125  
137  
A
tp = 8.3 ms; sine-wave pulse; Tj(init) = 25 °C;  
A
per diode  
Symbol Parameter  
Static characteristics  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VF  
Dynamic characteristics  
trr reverse recovery time  
forward voltage  
IF = 8 A; Tj = 150 °C; Fig. 4  
-
0.72  
0.85  
V
IF = 1 A; VR = 30 V; dIF/dt = 100 A/μs;  
Tj = 25 °C; ramp recovery; Fig. 5  
-
-
20  
25  
ns  
ns  
IF = 0.5 A to IR = 1 A; Tj = 25 °C;  
measured at IR= 0.25 A; step recovery;  
Fig. 6  
10  
20  
1234567...11

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