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BYV32F-100

更新时间: 2024-11-21 14:50:15
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
4页 124K
描述
DIODE 12 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

BYV32F-100 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84Is Samacsys:N
应用:EFFICIENCY外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流:137 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最大输出电流:12 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向恢复时间:0.025 µs表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

BYV32F-100 数据手册

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