BYV32F-200

更新时间： 2024-11-20 22:37:07

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		整流二极管局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数	文件大小	规格书
7页	58K
描述
Rectifier diodes ultrafast, rugged

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BYV32F-200 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.8
应用：	ULTRA FAST SOFT RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.85 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	137 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	6 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	0.025 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

BYV32F-200 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Rectifier diodes

ultrafast, rugged

BYV32F, BYV32EX series

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• Low forward volt drop

• Fast switching

• Soft recovery characteristic

• Reverse surge capability

• High thermal cycling performance

• Isolated mounting tab

V_R= 150 V/ 200 V

V_F≤ 0.85 V

I_O(AV)= 12 A

I_RRM= 0.2 A

t_rr≤ 25 ns

GENERAL DESCRIPTION

Dual, ultra-fast, epitaxial rectifier diodes intended for use as output rectifiers in high frequency switched mode power

supplies.

The BYV32F series is supplied in the SOT186 package.

The BYV32EX series is supplied in the SOT186A package.

PINNING

SOT186

SOT186A

DESCRIPTION

anode 1 (a)

cathode (k)

case

anode 2 (a)

isolated

2 3

tab

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN.

BYV32F / BYV32EX

MAX.

UNIT

-150

150

-200

200

V_RRM

V_RWM

V_R

Peak repetitive reverse voltage

Crest working reverse voltage

Continuous reverse voltage

I_O(AV)

I_FRM

I_FSM

Average rectified output current square wave

(both diodes conducting)¹

δ = 0.5; T_hs≤ 95 ˚C

Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;

per diode

Non-repetitive peak forward

current per diode

T_hs≤ 95 ˚C

t = 10 ms

125

137

t = 8.3 ms

sinusoidal; with reapplied

V_RWM(max)

Repetitive peak reverse current t_p= 2 µs; δ = 0.001

I_RRM

I_RSM

0.2

per diode

Non-repetitive peak reverse

current per diode

t_p= 100 µs

T_stg

T_j

Storage temperature

Operating junction temperature

-40

150

˚C

1 Neglecting switching and reverse current losses

October 1998

Rev 1.300

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与BYV32F-200相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BYV32F50	NXP	获取价格	RECTIFIER DIODES,COMMON CATHODE,50V V(RRM),SOT-186
BYV32FSERIES	NXP	获取价格	Rectifier diodes ultrafast. rugged
BYV32G-200	NXP	获取价格	Dual ultrafast power diode
BYV32G-200	WEEN	获取价格	Dual ultrafast power diode in a SOT226A (I2PAK) low-profile plastic package.
BYV32-XXX	VISHAY	获取价格	Dual Common-Cathode Ultrafast Rectifier
BYV34	NXP	获取价格	Dual rectifier diodes ultrafast
BYV34-300	NXP	获取价格	Dual rectifier diodes ultrafast
BYV34-300/B	ETC	获取价格	DIODE ULTRA FAST 2X10A
BYV34300M	SEME-LAB	获取价格	HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS
BYV34-300M	SEME-LAB	获取价格	HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS

与BYV32F-200相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

30
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

22
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

51
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

49

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BYV32F-200

BYV32F-200 技术参数

BYV32F-200 数据手册

与BYV32F-200相关器件

与BYV32F-200相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BYV32F-200

BYV32F-200 技术参数

BYV32F-200 数据手册

与BYV32F-200相关器件

与BYV32F-200相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？