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BYV32E-200,127

更新时间： 2024-11-21 21:18:07

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恩智浦 - NXP		超快软恢复二极管快速软恢复二极管局域网开关
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BYV32E-200

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BYV32E-200,127 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220
包装说明：	PLASTIC, SC-46, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	7.42
其他特性：	FAST SWITCHING	应用：	ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	137 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	0.025 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BYV32E-200,127 数据手册

BYV32E-200

Dual rugged ultrafast rectifier diode, 20 A, 200 V

Rev. 04 — 27 February 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Ultrafast dual epitaxial rectifier diode in a SOT78 (TO-220AB) plastic package.

1.2 Features and benefits

High reverse voltage surge capability

High thermal cycling performance

Low thermal resistance

Soft recovery characteristic minimizes

power consuming oscillations

Very low on-state loss

1.3 Applications

Output rectifiers in high-frequency

switched-mode power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

V_RRM

I_O(AV)

repetitive peak

reverse voltage

200

average output

current

square-wave pulse; δ = 0.5;

T_mb≤ 115 °C; both diodes

conducting; see Figure 1;

see Figure 2

I_RRM

repetitive peak

reverse current

t_p= 2 µs; δ = 0.001

0.2

V_ESD

electrostatic

HBM; C = 250 pF; R = 1.5

discharge voltage

kΩ; all pins

Dynamic characteristics

t_rr

reverse recovery

time

I_F= 1 A; V_R= 30 V;

dI_F/dt = 100 A/µs;

T_j= 25 °C; ramp recovery;

see Figure 5

I_R= 1 A; I_F= 0.5 A;

T_j= 25 °C; step recovery;

measured at reverse current

= 0.25 A; see Figure 6

Static characteristics

V_Fforward voltage

I_F= 8 A; T_j= 150 °C; see

Figure 4

0.72 0.85

12 3 4 5 6 7...9

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BYV32E-200,127 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BYW51-200G	ONSEMI	功能相似	SWITCHMODE TM Power Rectifier
STTH1602CT	STMICROELECTRONICS	功能相似	HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE
STTH3002CT	STMICROELECTRONICS	功能相似	HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE

与BYV32E-200,127相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BYV32E-200P	NXP	获取价格	RECTIFIER DIODE
BYV32E-200P	WEEN	获取价格	Dual ultrafast power diode in a SOT78 (TO-220AB) plastic package
BYV32E-300P	WEEN	获取价格	Dual ultrafast power diode
BYV32EB	NXP	获取价格	Rectifier diodes ultrafast, rugged
BYV32EB-100	NXP	获取价格	DIODE 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYV32EB100T/R	PHILIPS	获取价格	Rectifier Diode, 20A, 100V V(RRM),
BYV32EB-100T/R	PHILIPS	获取价格	DIODE 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYV32EB-150	NXP	获取价格	Rectifier diodes ultrafast, rugged
BYV32EB150T/R	PHILIPS	获取价格	Rectifier Diode, 20A, 150V V(RRM),
BYV32EB-150T/R	NXP	获取价格	DIODE 20 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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