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BYV32EB

更新时间： 2024-11-20 22:37:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 56K
描述
Rectifier diodes ultrafast, rugged

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BYV32EB 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.38
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：2
端子数量：2最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.025 µs
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

BYV32EB 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
ultrafast, rugged  
BYV32E, BYV32EB series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
VR = 150 V/ 200 V  
VF ≤ 0.85 V  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
• Soft recovery characteristic  
• Reverse surge capability  
• High thermal cycling performance  
• Low thermal resistance  
a1  
1
a2  
3
IO(AV) = 20 A  
IRRM = 0.2 A  
k
2
trr ≤ 25 ns  
GENERAL DESCRIPTION  
Dual, ultra-fast, epitaxial rectifier diodes intended for use as output rectifiers in high frequency switched mode power  
supplies.  
The BYV32E series is supplied in the SOT78 conventional leaded package.  
The BYV32EB series is supplied in the SOT404 surface mounting package.  
PINNING  
SOT78 (TO220AB)  
SOT404  
PIN  
DESCRIPTION  
anode 1 (a)  
cathode (k) 1  
tab  
tab  
1
2
2
3
anode 2 (a)  
cathode (k)  
1
3
1 2 3  
tab  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN.  
BYV32E / BYV32EB  
MAX.  
UNIT  
-150  
-200  
VRRM  
Peaqk repetitive reverse  
-
150  
200  
V
voltage  
VRWM  
VR  
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
-
-
150  
150  
200  
200  
V
V
IO(AV)  
IFRM  
IFSM  
Average rectified output current square wave; δ = 0.5;  
(both diodes conducting) mb ≤ 115 ˚C  
-
-
20  
20  
A
A
T
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
per diode  
Non-repetitive peak forward  
current per diode  
Tmb ≤ 115 ˚C  
t = 10 ms  
-
-
125  
137  
A
A
t = 8.3 ms  
sinusoidal; with reapplied  
VRWM(max)  
Repetitive peak reverse current tp = 2 µs; δ = 0.001  
IRRM  
IRSM  
-
-
0.2  
0.2  
A
A
per diode  
Non-repetitive peak reverse  
current per diode  
tp = 100 µs  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
-40  
-
150  
150  
˚C  
˚C  
1 It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package  
July 1998  
1
Rev 1.200  
1234567

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与BYV32EB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYV32EB-100 NXP

获取价格

 		DIODE 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYV32EB100T/R PHILIPS

获取价格

 		Rectifier Diode, 20A, 100V V(RRM),
BYV32EB-100T/R PHILIPS

获取价格

 		DIODE 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYV32EB-150 NXP

获取价格

 		Rectifier diodes ultrafast, rugged
BYV32EB150T/R PHILIPS

获取价格

 		Rectifier Diode, 20A, 150V V(RRM),
BYV32EB-150T/R NXP

获取价格

 		DIODE 20 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYV32EB-200 NXP

获取价格

 		Rectifier diodes ultrafast, rugged
BYV32EB-200 WEEN

获取价格

 		Dual ultrafast power diode in a?TO263 (D2PAK) surface-mountable plastic package.
BYV32EB-200,118 NXP

获取价格

 		BYV32EB-200
BYV32EB-200/T3 NXP

获取价格

 		DIODE 20 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, D2PAK-3, Rectifier Diode

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