生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.62 | 应用: | ULTRA FAST SOFT RECOVERY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 最大非重复峰值正向电流: | 137 A |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大输出电流: | 12 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
最大反向恢复时间: | 0.025 µs | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BYV32EB-100 | NXP |
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DIODE 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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BYV32EB100T/R | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 20A, 100V V(RRM), |
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BYV32EB-100T/R | PHILIPS |
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DIODE 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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BYV32EB-150 | NXP |
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Rectifier diodes ultrafast, rugged |
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BYV32EB150T/R | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 20A, 150V V(RRM), |
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BYV32EB-150T/R | NXP |
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DIODE 20 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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BYV32EB-200 | NXP |
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Rectifier diodes ultrafast, rugged |
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BYV32EB-200 | WEEN |
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Dual ultrafast power diode in a?TO263 (D2PAK) surface-mountable plastic package. |
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BYV32EB-200,118 | NXP |
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BYV32EB-200 |
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BYV32EB-200/T3 | NXP |
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DIODE 20 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, D2PAK-3, Rectifier Diode |
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