生命周期: | Active | 包装说明: | R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.62 |
其他特性: | LOW LEAKAGE CURRENT | 应用: | ULTRA FAST SOFT RECOVERY POWER |
配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.15 V |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
最大非重复峰值正向电流: | 137 A | 元件数量: | 2 |
相数: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
参考标准: | IEC-60134 | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
最大反向电流: | 5 µA | 最大反向恢复时间: | 0.025 µs |
反向测试电压: | 200 V | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BYV32E-300P | WEEN |
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Dual ultrafast power diode | |
BYV32EB | NXP |
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Rectifier diodes ultrafast, rugged | |
BYV32EB-100 | NXP |
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DIODE 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYV32EB100T/R | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 20A, 100V V(RRM), | |
BYV32EB-100T/R | PHILIPS |
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DIODE 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYV32EB-150 | NXP |
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Rectifier diodes ultrafast, rugged | |
BYV32EB150T/R | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 20A, 150V V(RRM), | |
BYV32EB-150T/R | NXP |
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DIODE 20 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYV32EB-200 | NXP |
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Rectifier diodes ultrafast, rugged | |
BYV32EB-200 | WEEN |
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Dual ultrafast power diode in a?TO263 (D2PAK) surface-mountable plastic package. |