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BYV32E-200P PDF预览

BYV32E-200P

更新时间： 2024-11-21 13:06:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管局域网超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
9页 136K
描述
RECTIFIER DIODE

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BYV32E-200P 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.62其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY POWER配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.15 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：137 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT参考标准：IEC-60134
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向电流：5 µA
最大反向恢复时间：0.025 µs表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

BYV32E-200P 数据手册

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BYV32E-200  
Dual rugged ultrafast rectifier diode, 20 A, 200 V  
Rev. 04 — 27 February 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Ultrafast dual epitaxial rectifier diode in a SOT78 (TO-220AB) plastic package.  
1.2 Features and benefits  
„ High reverse voltage surge capability  
„ High thermal cycling performance  
„ Low thermal resistance  
„ Soft recovery characteristic minimizes  
power consuming oscillations  
„ Very low on-state loss  
1.3 Applications  
„ Output rectifiers in high-frequency  
switched-mode power supplies  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max Unit  
VRRM  
IO(AV)  
repetitive peak  
reverse voltage  
-
-
200  
V
average output  
current  
square-wave pulse; δ = 0.5;  
Tmb ≤ 115 °C; both diodes  
conducting; see Figure 1;  
see Figure 2  
-
-
20  
A
IRRM  
repetitive peak  
reverse current  
tp = 2 µs; δ = 0.001  
-
-
-
-
0.2  
8
A
VESD  
electrostatic  
HBM; C = 250 pF; R = 1.5  
kV  
discharge voltage  
kΩ; all pins  
Dynamic characteristics  
trr  
reverse recovery  
time  
IF = 1 A; VR = 30 V;  
dIF/dt = 100 A/µs;  
Tj = 25 °C; ramp recovery;  
see Figure 5  
-
-
20  
10  
25  
20  
ns  
ns  
IR = 1 A; IF = 0.5 A;  
Tj = 25 °C; step recovery;  
measured at reverse current  
= 0.25 A; see Figure 6  
Static characteristics  
VF forward voltage  
IF = 8 A; Tj = 150 °C; see  
Figure 4  
-
0.72 0.85  
V
1234567...9

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与BYV32E-200P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYV32E-300P WEEN

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 		Dual ultrafast power diode
BYV32EB NXP

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 		Rectifier diodes ultrafast, rugged
BYV32EB-100 NXP

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 		DIODE 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYV32EB100T/R PHILIPS

获取价格

 		Rectifier Diode, 20A, 100V V(RRM),
BYV32EB-100T/R PHILIPS

获取价格

 		DIODE 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYV32EB-150 NXP

获取价格

 		Rectifier diodes ultrafast, rugged
BYV32EB150T/R PHILIPS

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 		Rectifier Diode, 20A, 150V V(RRM),
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 		DIODE 20 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYV32EB-200 NXP

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 		Rectifier diodes ultrafast, rugged
BYV32EB-200 WEEN

获取价格

 		Dual ultrafast power diode in a?TO263 (D2PAK) surface-mountable plastic package.

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