是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 6 weeks |
风险等级: | 5.52 | 应用: | ULTRA FAST SOFT RECOVERY |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.15 V | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 最大非重复峰值正向电流: | 137 A |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 参考标准: | IEC-60134 |
最大重复峰值反向电压: | 100 V | 最大反向电流: | 30 µA |
最大反向恢复时间: | 0.025 µs | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BYV32E-100 | NXP |
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Rectifier diodes ultrafast, rugged |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BYV32E-150 | NXP |
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BYV32E-150,127 | NXP |
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BYV32E-200 | NXP |
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BYV32E-200,127 | NXP |
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BYV32E-200P | NXP |
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RECTIFIER DIODE |
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BYV32E-300P | WEEN |
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BYV32EB | NXP |
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