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BUL50A

更新时间： 2024-09-25 22:17:31
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页数 文件大小 规格书
2页 32K
描述
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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BUL50A 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：500 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUL50A 数据手册

 浏览型号BUL50A的Datasheet PDF文件第2页 
BUL50A  
S E M E  
LA B  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm (inches)  
ADVANCED  
DISTRIBUTED BASE DESIGN  
HIGH VOLTAGE  
4.69 (0.185)  
5.31 (0.209)  
1.49 (0.059)  
2.49 (0.098)  
15.49 (0.610)  
16.26 (0.640)  
HIGH SPEED NPN  
SILICON POWER TRANSISTOR  
3.55 (0.140)  
3.81 (0.150)  
1
2
3
• SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE  
• HIGH VOLTAGE  
1.65 (0.065)  
2.13 (0.084)  
0.40 (0.016)  
0.79 (0.031)  
2.87 (0.113)  
3.12 (0.123)  
• FAST SWITCHING  
1.01 (0.040)  
1.40 (0.055)  
• HIGH ENERGY RATING  
2.21 (0.087)  
2.59 (0.102)  
5.25 (0.215)  
BSC  
• EFFICIENT POWER SWITCHING  
TO–247  
• MILITARY AND HI–REL VERSIONS  
AVAILABLE IN METAL AND CERAMIC  
SURFACE MOUNT PACKAGES  
Pin 1 – Base  
Pad 2 – Collector Pad 3 – Emitter  
1
m
5.2  
ax  
4.6  
ax  
m
1
4
2.0  
FEATURES  
4.4  
• Multi–base for efficient energy distribution  
across the chip resulting in significantly  
improved switching and energy ratings  
across full temperature range.  
21  
.
0
4
4
.25  
Dia  
.
m
ax  
.
15  
12.7  
max  
1
2
3
13  
min  
.
6
• Ion implant and high accuracy masking for  
tight control of characteristics from batch to  
batch.  
1.15  
0.95  
0
1
.4  
5.5  
.6  
• Triple Guard Rings for improved control of  
high voltages.  
1
1
SOT93  
Pin 1 – Base  
Pad 2 – Collector Pad 3 – Emitter  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
1000V  
case  
V
V
V
Collector – Base Voltage  
Collector – Emitter Voltage (I = 0)  
CBO  
CEO  
EBO  
500V  
10V  
B
Emitter – Base Voltage (I = 0)  
C
I
I
I
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Base Current  
15A  
C
30A  
C(PK)  
B
5A  
P
Total Dissipation at T  
= 25°C  
125W  
–55 to +175°C  
tot  
case  
T
Operating and Storage Temperature Range  
stg  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Prelim. 3/95  
12

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