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BUK9907-55ATE

更新时间： 2024-09-25 06:44:39

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	250K
描述
N-channel TrenchPLUS logic level FET

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BUK9907-55ATE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220
包装说明：	PLASTIC, TO-220, 5 PIN	针数：	5
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.44	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.0077 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T5	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	272 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	560 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK9907-55ATE 数据手册

BUK9907-55ATE

N-channel TrenchPLUS logic level FET

Rev. 02 — 16 February 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. The devices include TrenchPLUS diodes for

ElectroStatic Discharge (ESD) protection and temperature sensing. This product has been

designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical

applications.

1.2 Features and benefits

Allows responsive temperature

monitoring due to integrated

temperature sensor

Electrostatically robust due to

integrated protection diodes

Low conduction losses due to low

Q101 compliant

on-state resistance

1.3 Applications

12 V and 24 V high power motor

Electrical Power Assisted Steering

drives

(EPAS)

Automotive and general purpose

Protected drive for lamps

power switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

[1] -

drain current

V_GS= 5 V; T_mb= 25 °C; see Figure 2 and 3

T_mb= 25 °C; see Figure 1

140

272

P_tot

T_j

total power dissipation

junction temperature

-55

175 °C

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 4.5 V; I_D= 50 A; T_j= 25 °C

7.7

6.2

mΩ

V_GS= 10 V; I_D= 50 A; T_j= 25 °C

5.2

5.8

mΩ

V_GS= 5 V; I_D= 50 A; T_j= 25 °C; see Figure 7 and 8

S_F(TSD)temperature sense diode I_F= 250 µA; T_j> -55 °C; T_j< 175 °C

temperature coefficient

-1.4 -1.54 -1.68 mV/K

V_F(TSD)temperature sense diode I_F= 250 µA; T_j= 25 °C

forward voltage

648 658 668 mV

[1] Current is limited by power dissipation chip rating.

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BUK9907-55ATE,127	NXP	类似代替	N-channel TrenchPLUS logic level FET TO-220 5-Pin

与BUK9907-55ATE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9907-55ATE,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchPLUS logic level FET TO-220 5-Pin
BUK993-60A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| SOT-263
BUK995-60A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 34A I(D) \| SOT-263
BUK9C10-55BIT	NXP	获取价格	POWER, FET
BUK9C10-65BIT	NXP	获取价格	75A, 65V, 0.011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-7
BUK9C10-65BIT,118	NXP	获取价格	BUK9C10-65BIT - N-channel TrenchPLUS logic level FET D2PAK 7-Pin
BUK9D120-60P	NEXPERIA	获取价格	60 V, P-channel Trench MOSFETProduction
BUK9D23-40E	NEXPERIA	获取价格	40 V, N-channel Trench MOSFETProduction
BUK9E04-30B	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9E04-30B,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin

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