Datasheet > BUK9E4R4-40B

BUK9E4R4-40B

更新时间： 2024-09-30 22:45:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
16页	297K
描述
TrenchMOS logic level FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BUK9E4R4-40B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	PLASTIC, TO-262, I2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.46	雪崩能效等级（Eas）：	961 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.0048 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	254 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	697 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

BUK9E4R4-40B 数据手册

BUK95/96/9E4R4-40B

TrenchMOS™ logic level FET

Rev. 02 — 13 October 2003

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ Very low on-state resistance

■ 175 °C rated

■ Q101 compliant

■ Logic level compatible.

1.3 Applications

■ Automotive systems

■ 12 V loads

■ Motors, lamps and solenoids

■ General purpose power switching.

1.4 Quick reference data

■ E_DS(AL)S≤ 961 mJ

■ I_D≤ 75 A

■ R_DSon= 3.9 mΩ (typ)

■ P_tot≤ 254 W.

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT78, SOT404, and SOT226 simpliﬁed outlines and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

[1]

drain (d)

source (s)

mounting base,

connected to

drain (d)

MBB076

MBK116

2 3

MBK112

MBK106

2 3

SOT404 (D²-PAK)

SOT226 (I²-PAK)

SOT78 (TO-220AB)

[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.

12 3 4 5 6 7...16

中文翻译

下载PDF

BUK9E4R4-40B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BUK9E06-55B,127	NXP	功能相似	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin

与BUK9E4R4-40B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9E4R4-80E	NXP	获取价格	TRANSISTOR 120 A, 80 V, 0.0044 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-26
BUK9E4R4-80E,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin
BUK9E4R9-60E	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 A, 60 V, 0.0049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-26
BUK9E4R9-60E,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin
BUK9J0R9-40H	NEXPERIA	获取价格	N-channel 40 V, 0.9 mΩ logic level MOSFET in
BUK9K12-60E	NEXPERIA	获取价格	Dual N-channel 60 V, 11.5 mΩ logic level MOSF
BUK9K13-40H	NEXPERIA	获取价格	Dual N-channel 40 V, 13 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56DProduction
BUK9K134-100E	NEXPERIA	获取价格	Dual N-channel 100 V, 159 mΩ logic level MOSF
BUK9K13-60E	NEXPERIA	获取价格	Dual N-channel 60 V, 12.5 mΩ logic level MOSF
BUK9K13-60EX	ETC	获取价格	MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56

与BUK9E4R4-40B相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

34
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

28
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

27
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK9E4R4-40B

BUK9E4R4-40B 技术参数

BUK9E4R4-40B 数据手册

BUK9E4R4-40B 替代型号

与BUK9E4R4-40B相关器件

与BUK9E4R4-40B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK9E4R4-40B

BUK9E4R4-40B 技术参数

BUK9E4R4-40B 数据手册

BUK9E4R4-40B 替代型号

与BUK9E4R4-40B相关器件

与BUK9E4R4-40B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？