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BUK9E3R2-40E

更新时间： 2024-10-01 21:10:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	212K
描述
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

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BUK9E3R2-40E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	419 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0032 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	781 A
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK9E3R2-40E 数据手册

BUK9E3R2-40E

N-channel TrenchMOS logic level FET

11 September 2012

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel MOSFET in a SOT226 package using TrenchMOS technology.

This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high

performance automotive applications.

1.2 Features and benefits

AEC Q101 compliant

Repetitive avalanche rated

Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating

True logic level gate with Vgst(th) rating of greater than 0.5V at 175 °C

•

1.3 Applications

12 V Automotive systems

•

Motors, lamps and solenoid control

Start-Stop micro-hybrid applications

Transmission control

Ultra high performance power switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

V_GS= 5 V; T_mb= 25 °C; Fig. 1

[1]

100

234

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; Fig. 2

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 5 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C; Fig. 11

2.7

3.2

mΩ

V_GS= 5 V; I_D= 25 A; V_DS= 32 V;

Fig. 13; Fig. 14

25.8

[1] Continuous current is limited by package.

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12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9E3R2-40E,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin
BUK9E3R7-60E,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin
BUK9E4R4-40B	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9E4R4-80E	NXP	获取价格	TRANSISTOR 120 A, 80 V, 0.0044 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-26
BUK9E4R4-80E,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin
BUK9E4R9-60E	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 A, 60 V, 0.0049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-26
BUK9E4R9-60E,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin
BUK9J0R9-40H	NEXPERIA	获取价格	N-channel 40 V, 0.9 mΩ logic level MOSFET in
BUK9K12-60E	NEXPERIA	获取价格	Dual N-channel 60 V, 11.5 mΩ logic level MOSF
BUK9K13-40H	NEXPERIA	获取价格	Dual N-channel 40 V, 13 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56DProduction

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