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BUK9E3R2-40E,127

更新时间： 2024-10-01 19:45:35

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	222K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin

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BUK9E3R2-40E,127 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-262	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.83	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	419 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0032 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	234 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	781 A	参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK9E3R2-40E,127 数据手册

BUK9E3R2-40E

N-channel TrenchMOS logic level FET

11 September 2012

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel MOSFET in a SOT226 package using TrenchMOS technology.

This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high

performance automotive applications.

1.2 Features and benefits

AEC Q101 compliant

Repetitive avalanche rated

Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating

True logic level gate with Vgst(th) rating of greater than 0.5V at 175 °C

•

1.3 Applications

12 V Automotive systems

•

Motors, lamps and solenoid control

Start-Stop micro-hybrid applications

Transmission control

Ultra high performance power switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

V_GS= 5 V; T_mb= 25 °C; Fig. 1

[1]

100

234

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; Fig. 2

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 5 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C; Fig. 11

2.7

3.2

mΩ

V_GS= 5 V; I_D= 25 A; V_DS= 32 V;

Fig. 13; Fig. 14

25.8

[1] Continuous current is limited by package.

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BUK9E3R2-40E,127 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BUK953R2-40E,127	NXP	类似代替	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin
IPD90N04S4-03	INFINEON	功能相似	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD90N04S3-04	INFINEON	功能相似	OptiMOS-T Power-Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BUK9E4R4-40B	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9E4R4-80E	NXP	获取价格	TRANSISTOR 120 A, 80 V, 0.0044 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-26
BUK9E4R4-80E,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin
BUK9E4R9-60E	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 A, 60 V, 0.0049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-26
BUK9E4R9-60E,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin
BUK9J0R9-40H	NEXPERIA	获取价格	N-channel 40 V, 0.9 mΩ logic level MOSFET in
BUK9K12-60E	NEXPERIA	获取价格	Dual N-channel 60 V, 11.5 mΩ logic level MOSF
BUK9K13-40H	NEXPERIA	获取价格	Dual N-channel 40 V, 13 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56DProduction
BUK9K134-100E	NEXPERIA	获取价格	Dual N-channel 100 V, 159 mΩ logic level MOSF

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